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[導讀]21ic通信網(wǎng)訊,移動互聯(lián)網(wǎng)的快速興起,尤其是移動智能終端的快速普及,給移動芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了前所未有的強大動力。在全球半導體行業(yè)整體疲軟的局勢下,移動芯片市場卻一枝獨秀地實現(xiàn)了快速增長,成為集成電路產(chǎn)

21ic通信網(wǎng)訊,移動互聯(lián)網(wǎng)的快速興起,尤其是移動智能終端的快速普及,給移動芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了前所未有的強大動力。在全球半導體行業(yè)整體疲軟的局勢下,移動芯片市場卻一枝獨秀地實現(xiàn)了快速增長,成為集成電路產(chǎn)業(yè)盈利的主要來源,同時,以ARM為代表的廠商的崛起,正在改寫全球芯片產(chǎn)業(yè)的市場格局。尤為值得一提的是,伴隨全球移動芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,我國的芯片產(chǎn)業(yè)也實現(xiàn)了跨越式發(fā)展,從曾經(jīng)的“無芯”到“有芯”以及未來可能的“強芯”,我國移動芯片產(chǎn)業(yè)正在進入新一輪的黃金發(fā)展期。

近年來,在移動互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的有力帶動下,移動智能終端超越PC成為全球集成電路發(fā)展的新市場和新動力。借助于國內(nèi)市場的快速發(fā)展和對國際開放性技術成果的積極利用,我國在移動芯片領域已初步實現(xiàn)核心技術和市場應用的雙重突破,取得了遠好于PC時代的產(chǎn)業(yè)位置。

全球移動芯片產(chǎn)業(yè)的三大趨勢

全球移動芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展正呈現(xiàn)出三大發(fā)展趨勢,第一是移動芯片成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵動力;第二是通信基帶芯片持續(xù)增長,應用處理芯片快速興起;第三是移動芯片驅(qū)動集成電路制造產(chǎn)業(yè)快速升級。

移動芯片無疑已成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要推動力。2007年以來,移動互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展開啟了信息產(chǎn)業(yè)新周期,智能終端近3年始終保持超過50%的高增長率,PC則連續(xù)四季度同比下滑。20年來PC主導全球芯片市場的現(xiàn)狀被改變。2012年移動終端芯片銷售額為651億美元,占全球芯片市場的24%,與PC芯片持平。毫無疑問,智能終端為集成電路產(chǎn)業(yè)帶來了新的發(fā)展方向。

2012年,全球移動芯片市場規(guī)模增長15%,而同期半導體行業(yè)整體下降3%。移動芯片已成為集成電路產(chǎn)業(yè)企業(yè)盈利的重要來源,并重塑了集成電路產(chǎn)業(yè)格局。ARM崛起成為芯片產(chǎn)業(yè)新的領導者,全球90%的智能終端采用了ARM架構的移動芯片;高通市值超越英特爾,成為移動芯片霸主。通信基帶芯片和應用處理芯片成為移動芯片發(fā)展創(chuàng)新的關鍵。

在移動互聯(lián)網(wǎng)的浪潮下,通信基帶芯片也出現(xiàn)了持續(xù)增長。2012年,通信基帶芯片出貨同比增長8%,達到22.8億片:3G芯片同比增長5%,其中TD-SCDMA芯片超過8000萬片,同比增長30%;LTE芯片出貨量比2011年增長超過5倍,首度接近1億片,通信基帶芯片產(chǎn)業(yè)持續(xù)增長。同時,應用處理芯片也隨著移動終端智能化而快速興起,2012年全球總計出貨超過8億片,同比增長超過50%。多核復用成為應用處理芯片設計的重點,四核逐漸成為市場主流。同時,整合應用處理器和通信基帶處理器的集成型單芯片因性價比、功耗控制等優(yōu)勢而快速發(fā)展,已經(jīng)快速成為移動芯片發(fā)展的重要方向。

移動芯片市場的快速發(fā)展正在驅(qū)動集成電路制造產(chǎn)業(yè)快速升級。移動芯片的快速發(fā)展和升級換代,加速著芯片制造企業(yè)的工藝改進和升級。臺積電工藝升級周期已縮短為兩年一代,2012年臺積電實現(xiàn)28納米量產(chǎn),同期完成全球第一枚20納米移動芯片試制;英特爾進入22納米時代,并計劃在2014年推出14納米工藝。同時,移動芯片促進制造企業(yè)由關注“性能提升”向“性能和功耗平衡”轉變,產(chǎn)業(yè)逐漸發(fā)展到“后摩爾時代”。芯片設計企業(yè)與芯片制造企業(yè)的合作前所未有的緊密。

合力推動產(chǎn)業(yè)健康持續(xù)發(fā)展

國內(nèi)芯片企業(yè)應抓住當前的有利時機,充分利用市場優(yōu)勢,加強產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)同,推動芯片產(chǎn)業(yè)和技術進一步提升。一是優(yōu)化芯片產(chǎn)業(yè)整體布局,推動良性發(fā)展。充分發(fā)揮國家的政策支持以及引導和扶持作用,做好對IP核、芯片設計、芯片制造等關鍵環(huán)節(jié)的整體統(tǒng)籌布局。充分發(fā)揮移動互聯(lián)網(wǎng)和智能終端的產(chǎn)業(yè)拉動效應,以終端芯片為重點,加快內(nèi)需市場移動芯片國產(chǎn)化進程,推進國內(nèi)企業(yè)在市場規(guī)模、營收、利潤及國際影響力等的提升,同時,推動其在物聯(lián)網(wǎng)、傳感網(wǎng)等感知領域,以及智能電網(wǎng)、安防監(jiān)控等新領域的應用。

二是突破關鍵技術,進一步加強對核心技術研發(fā)、關鍵設備購置等的支持及協(xié)調(diào),加大對移動芯片內(nèi)部各類關鍵IP核的自主研發(fā),推動高制程工藝的技術突破和盡快量產(chǎn),夯實多模多頻、集成單芯片、高工藝芯片設計和制造等核心技術基礎。

三是加強產(chǎn)業(yè)聯(lián)動,實現(xiàn)IP核、設計、制造三大環(huán)節(jié)協(xié)同發(fā)展。建議終端企業(yè)和芯片設計企業(yè)針對移動芯片設計研發(fā)加強合作,促進“芯片與整機”、“芯片設計與制造”、“IP核與芯片設計”參與主體間的資源協(xié)調(diào)、優(yōu)化和緊密合作,從而提升產(chǎn)業(yè)的協(xié)同實力和產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的同步提高。

  我國移動芯片產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)突破發(fā)展

在國家對TD-SCDMA和集成電路產(chǎn)業(yè)的大力支持下,借助智能終端和3G市場的有力拉動,我國移動芯片取得了長足進步,基本具備了進一步創(chuàng)新升級的產(chǎn)業(yè)和技術條件。

3G時代,我國成功實現(xiàn)了從“無芯”到“有芯”的跨越。在通信芯片方面,展訊、聯(lián)芯科技、重郵信科、銳迪科、國民技術等已實現(xiàn)TD-SCDMA/GSM芯片的商用,徹底扭轉2G時代幾乎全部依賴進口的現(xiàn)狀。2012年我國基帶芯片出貨8億片,國產(chǎn)化率提升到11%:在TD-SCDMA市場,國內(nèi)芯片企業(yè)市場占有率超過三分之二;在GSM市場,國內(nèi)企業(yè)始終位于前三;WCDMA芯片已實現(xiàn)累計千萬片出貨。在應用處理芯片方面,2012年我國智能手機應用處理芯片出貨超2.5億片,國產(chǎn)化率增至10%。展訊和聯(lián)芯等企業(yè)提供的集成型芯片是拉動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。同時,全志、瑞芯微等通過為平板電腦提供應用處理芯片,年出貨量亦達到千萬級別。國內(nèi)企業(yè)已實現(xiàn)多核、高工藝等設計技術突破,四核應用處理芯片已規(guī)模商用。在40納米工藝廣泛采用的基礎上,今年部分國內(nèi)芯片企業(yè)也將把技術工藝升級到28納米。

在LTE時代,我國的芯片產(chǎn)業(yè)進一步具備了從“有芯”到“強芯”的可能。在LTE芯片方面我國目前已基本跟上國際水平。海思、展訊、聯(lián)芯、中興微電子、創(chuàng)毅視訊、重郵信科、國民技術等多家企業(yè)已實現(xiàn)LTE基帶芯片的商用供貨;多家產(chǎn)品已支持或今年支持2G/3G/LTE多頻多模。

近年來,我國集成電路制造產(chǎn)業(yè)也取得了長足進步。2012年,國內(nèi)集成電路制造業(yè)銷售收入501億元,近7年來年均增長率為30%。在全球半導體產(chǎn)業(yè)銷售收入整體下降的情況下,中芯國際2012年實現(xiàn)29%的逆勢增長,同期國內(nèi)客戶占比已經(jīng)上升到34%,在不到5年時間內(nèi)增加了一倍,國內(nèi)芯片制造業(yè)與設計業(yè)相互帶動效應漸顯。2012年中芯國際實現(xiàn)40納米工藝量產(chǎn),當年即占總銷售收入的2.6%,目前其28納米生產(chǎn)線也在積極建設中。[!--empirenews.page--]

在當前的產(chǎn)業(yè)格局下,我國移動芯片產(chǎn)業(yè)要實現(xiàn)進一步突破升級,在市場拓展、技術提升、產(chǎn)業(yè)合作等方面仍面臨巨大挑戰(zhàn),具體表現(xiàn)在三個方面。

第一,國產(chǎn)移動芯片市場占比偏低,企業(yè)規(guī)模仍然偏小。

國產(chǎn)移動芯片在市場占有率雖較PC時代有長足進步,但比例仍然偏低,且多數(shù)產(chǎn)品以中低端市場為主,利潤率低;國內(nèi)企業(yè)實力和國際領先企業(yè)差距較大,新工藝新技術導入較慢,面臨差距拉大再次掉隊的風險。

第二,國內(nèi)企業(yè)在核心技術存在一定短板,普遍缺乏對基本IP核的開發(fā)和積累,芯片研發(fā)受制于人、產(chǎn)品同質(zhì)化問題突出。

第三,國內(nèi)芯片制造企業(yè)的持續(xù)發(fā)展能力有待加強,產(chǎn)能需求不足的問題一直存在,隨著工藝換代不斷加速,獲取利潤的時間及市場還在持續(xù)縮小。在技術水平上,國內(nèi)企業(yè)與先進工藝存在著明顯差距,28納米及后28納米新建工廠的資金缺口仍然巨大,制造企業(yè)與本土芯片設計企業(yè)間的互動空間仍然很大。

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