英飛凌科技公司（Infineon）和南亞科技公司近日聯(lián)合宣布，由英飛凌和南亞科技在英飛凌德國德累斯頓研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)的90納米DRAM技術(shù)成功通過認(rèn)證。兩家公司聯(lián)合開發(fā)的90納米內(nèi)存產(chǎn)品獲得了主要客戶的認(rèn)可，并通過了英特爾的驗(yàn)證。在英飛凌公司德累斯頓300mm晶圓生產(chǎn)線上，90納米DRAM產(chǎn)品已經(jīng)開始批量生產(chǎn)。作為全球第二個(gè)引進(jìn)90納米技術(shù)的DRAM制造商，英飛凌在5月底之前已經(jīng)成功將其DRAM全球產(chǎn)量的5%從110納米工藝轉(zhuǎn)換成90納米工藝。英飛凌和南亞科技的合資公司臺(tái)灣華亞半導(dǎo)體公司現(xiàn)在已經(jīng)開始向90納米技術(shù)轉(zhuǎn)型。提前采用新一代技術(shù)將大幅降低生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品性能，同時(shí)也是提高DRAM生產(chǎn)盈利能力的最重要因素之一。

    與先前的110納米工藝相比，90納米工藝進(jìn)一步縮小了芯片尺寸，從而使每片晶圓的芯片產(chǎn)量可以增加30%以上。縮小芯片尺寸和使用300mm晶圓實(shí)現(xiàn)的生產(chǎn)率提高是芯片生產(chǎn)成本大幅下降的基礎(chǔ)。英飛凌和南亞科技的聯(lián)合開發(fā)還包括下一代70納米制程技術(shù)。

    90納米工藝結(jié)構(gòu)的推出在很大程度上得益于110納米時(shí)代先進(jìn)的193納米光刻技術(shù)。193納米光刻技術(shù)是縮小工藝結(jié)構(gòu)不可或缺的因素。通過引進(jìn)所謂的“棋盤單元陣列（checkerboard cell array）”， 只要利用標(biāo)準(zhǔn)的表面增強(qiáng)方法，而不需要運(yùn)用復(fù)雜的高K電介質(zhì)，就可以實(shí)現(xiàn)卓越的存儲(chǔ)容量。 

    除了成本優(yōu)勢之外，采用更小的工藝結(jié)構(gòu)是生產(chǎn)用于移動(dòng)世界的高速、低功耗DDR2和DDR3 SDRAM的關(guān)鍵。隨著第一件產(chǎn)品512Mb DDR SDRAM通過客戶認(rèn)證，英飛凌和南亞科技成為業(yè)界第二家采用90納米技術(shù)生產(chǎn)DRAM的制造商。512Mb DDR2 SDRAM相關(guān)系列產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2005年下半年推出。包括256 Mb DDR2 和1G DDR2在內(nèi)的其他產(chǎn)品將在稍后推出。