Spansion LLC，今天展示了基于90nm MirrorBit™技術的單芯片1Gb GL NOR閃存，并驗證了1Gb ORNAND™閃存的工作芯片。Spansion在其位于得克薩斯州奧斯汀的旗艦制造基地Fab 25所生產的Spansion™ 90nm MirrorBit技術的產品，為引人關注的高容量閃存開發(fā)計劃奠定了基礎。該項計劃旨在開發(fā)多款滿足無線和嵌入式應用，將所需容量、性能、可靠性和成本結構集于一身的閃存產品。 

在Spansion公司Fab 25所舉辦的活動上，該公司現(xiàn)場展示了一款基于90nm MirrorBit 技術，在無線手持設備應用中用作數(shù)據(jù)存儲的1Gb ORNAND設備。Spansion代表用一個有存儲代碼的Spansion NOR閃存和存儲數(shù)據(jù)的1Gb MirrorBit ORNAND芯片的手機參考設計，演示了照相、攝像、音樂和視頻播放等多媒體功能。 此次展示證明了Spansion公司產品具有出色的讀取性能，可以大大加快電話啟動和視頻播放的速度，以及對于一臺以每秒錄入15幀的QVGA攝像機 （320x240pixels）可以提供快速的寫入性能。

讀取性能決定了手機用戶能夠以多快的速度啟動他們的電話，使用不同的功能和應用（例如游戲），以及訪問關鍵的內容（例如視頻和音樂）。更高的讀取性能將會改善用戶在無線電話上使用這些多媒體功能時的體驗。90nm的MirrorBit技術可以滿足嵌入式代碼和數(shù)據(jù)存儲應用的需要。過去，這些應用主要使用NOR或NAND架構。Spansion公司已經成功擁有市場上容量最高的單芯片1Gb GL NOR的工作芯片。Spansion公司表示，該芯片可以提供出色的讀取性能，從而滿足很多嵌入式應用對高容量代碼和數(shù)據(jù)存儲的需求。

此次活動上，Spansion公司還介紹了其90nm MirrorBit 產品開發(fā)計劃的詳細情況，包括計劃在今年推出采用了NOR和ORNAND架構的1Gb芯片，以及在2006年中旬推出容量高達2Gb的ORNAND設備。另外，Spansion公司計劃在2006年初推出高性能的1.8V 512Mb NOR設備的樣品，并在2006年開始生產基于65nm MirrorBit 技術的產品。

MirrorBit 技術是Spansion公司一項創(chuàng)新的閃存技術。與傳統(tǒng)的浮動門技術相比，它具有高良品率和低成本架構的特性。MirrorBit是利用一種絕緣存儲元件制造的，所需要的關鍵制造步驟比浮動門技術減少40%，從而可以帶來更高的良品率，幫助生產廠商經濟有效地制造出容量和性能更高的產品。