英特爾和意法半導(dǎo)體宣布開始向客戶提供采用創(chuàng)新的相變存儲器（PCM）技術(shù)制造的未來存儲器的原型樣片，這是存儲器工業(yè)發(fā)展史上的一個重要的里程碑。這些原型樣片是市場上首批交付給客戶評測的相變存儲器的功能芯片，使相變存儲器技術(shù)向商業(yè)化目標(biāo)又邁進(jìn)了一步。
這款代碼為“Alverstone”的存儲器芯片采用相變存儲器技術(shù)。相變存儲器是一種前景看好的新型存儲技術(shù)，數(shù)據(jù)讀寫速度非?？?，功耗低于傳統(tǒng)的閃存技術(shù)，而且支持通常只有隨機(jī)存取存儲器（RAM）才具備的以數(shù)據(jù)位為單位的修改功能。
在相關(guān)的新聞報導(dǎo)中，英特爾和意法半導(dǎo)體的科研人員最近在國際固態(tài)電路大會（ISSCC）上提出了一篇關(guān)于相變存儲技術(shù)的另一重大進(jìn)步的論文，兩家公司合作開發(fā)出了世界首款能夠在電路板上演示的采用相變存儲技術(shù)制造的高密度多層單元（MLC）芯片。從每單元只能存儲一個數(shù)據(jù)位的單層單元到多層單元技術(shù)的發(fā)展，不僅大幅度提高了存儲密度，還降低了每個字節(jié)的存儲成本，因此，采用多層單元和相變存儲兩大技術(shù)的存儲器是存儲器技術(shù)發(fā)展上的一次重大進(jìn)步。
據(jù)Web-Feet市場研究有限公司的研究報告，2007年動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）、閃存和電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）等存儲器的市場總價值達(dá)到610億美元。按照傳統(tǒng)方式計算，存儲器技術(shù)的成本以摩爾定律的速度下降，隨著光刻圖形尺寸的每一次縮減，存儲器的密度每隔18個月就提高一倍。在今后十年內(nèi)，隨著隨機(jī)存取存儲器（RAM）和閃存技術(shù)的特征尺寸縮減受到限制，相變存儲器將會以更快速的速度降低成本。相對于今天的技術(shù)，多層單元相變存儲器的問世將會進(jìn)一步加快相變存儲器技術(shù)的每位成本的下降速度。最終，因為集動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的位可修改特性、閃存的非易失性、NOR閃存的快速讀取特性和NAND閃存的快速寫入特性于一身，相變存儲器將能夠滿足整個存儲器市場的需求，而且可能會成為今后10年推動市場增長的一個主要動力。
Alverstone是一款采用90納米技術(shù)制造的128兆位相變存儲器，設(shè)計目的是讓存儲器客戶評測相變存儲器的性能，讓手機(jī)和嵌入式系統(tǒng)客戶更好地了解相變存儲技術(shù)，以及如何在他們未來的系統(tǒng)設(shè)計中整合變相存儲器。
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