中國首個(gè)256位分子存儲(chǔ)器電路研制成功
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近日，中科院微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室成功研制出國內(nèi)首個(gè)256位分子存儲(chǔ)器電路。
分子電路是指在分子層次上構(gòu)筑的電子器件及其集成電路，是后摩爾時(shí)代接替硅基電路最受關(guān)注的方向之一，它能夠使電子器件的關(guān)鍵尺寸縮小到分子尺度，突破摩爾定律極限，推動(dòng)集成電路向更小尺寸，更高集成度方向發(fā)展。
電阻轉(zhuǎn)變型雙穩(wěn)態(tài)材料的存儲(chǔ)特性在信息存儲(chǔ)以及存儲(chǔ)器方面有著非常廣闊的應(yīng)用前景，是一種天生的存儲(chǔ)材料。具有此類雙穩(wěn)態(tài)特性的分子功能材料由于其低成本、低功耗，并且有潛力將特征尺寸縮小到分子尺度等優(yōu)點(diǎn)，而受到廣泛的關(guān)注。分子存儲(chǔ)器是利用有機(jī)分子的電學(xué)雙穩(wěn)態(tài)特性實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)功能的，分子存儲(chǔ)器要實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)，就需要有效的降低特征尺寸，即存儲(chǔ)點(diǎn)的周期。
研究人員在深入研究不同轉(zhuǎn)變機(jī)理的各種電阻轉(zhuǎn)變型雙穩(wěn)態(tài)材料的基礎(chǔ)上，基于一次電子束光刻和二次X射線曝光的具有完全知識(shí)產(chǎn)權(quán)的混合光刻技術(shù)，成功研制了國內(nèi)首個(gè)256位分子存儲(chǔ)器電路，該存儲(chǔ)器電路的特征尺寸達(dá)到250nm，電學(xué)性能優(yōu)異，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明分子存儲(chǔ)器的分子層沒有受到損傷。
國內(nèi)首個(gè)256位分子存儲(chǔ)器電路的研制成功，為我國分子電路的高集成度、高速度和低功耗的實(shí)現(xiàn)奠定了重要基礎(chǔ), 有力推動(dòng)了我國分子電子學(xué)的發(fā)展。
本工作得到了國家973項(xiàng)目的支持，中國科學(xué)院化學(xué)所提供了分子材料的制備生長，二次X射線光刻工藝在國家同步輻射實(shí)驗(yàn)室完成。
下載文檔當(dāng)電路中的信號(hào)發(fā)生突變（特別是數(shù)字信號(hào)）時(shí)，信號(hào)經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)一個(gè)電噪聲。這個(gè)噪聲在一般環(huán)境下不會(huì)對外產(chǎn)生影響。但是在某些特殊情況下，該信號(hào)會(huì)對外產(chǎn)生較強(qiáng)的傳導(dǎo)干擾，進(jìn)而影響其他電路的正常工作
關(guān)鍵字： 電路 數(shù)字信號(hào) 噪聲當(dāng)汽車進(jìn)行轉(zhuǎn)彎時(shí)，司機(jī)打開轉(zhuǎn)向燈，尾燈會(huì)根據(jù)轉(zhuǎn)向依次被點(diǎn)亮，經(jīng)過一定的間隔后，再全部被消滅。最后不停地重復(fù)，直到司機(jī)關(guān)閉轉(zhuǎn)向燈。
關(guān)鍵字： 汽車尾燈 電路 轉(zhuǎn)向燈Flash Memory 是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。
關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器 嵌入式系統(tǒng)為增進(jìn)大家對存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對單片機(jī)中的程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器以及二者的區(qū)別予以介紹。
關(guān)鍵字： 程序存儲(chǔ)器 指數(shù) 存儲(chǔ)器為增進(jìn)大家對存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對隨機(jī)存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器以及二者的區(qū)別予以探討。
關(guān)鍵字： 隨機(jī)存儲(chǔ)器 指數(shù) 存儲(chǔ)器
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