近日，中科院微電子所依靠獨立開發(fā)的全新技術(shù)，成功研制出國內(nèi)首個ZnO納米棒場效應(yīng)晶體管。

　　ZnO是一種新型寬禁帶多功能半導體材料。ZnO納米材料(納米線、納米棒、納米帶、納米環(huán)等等)具有較常規(guī)體材料更為優(yōu)越的性能，在傳感、光、電等諸多領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，引起了國際學術(shù)界的極大關(guān)注。目前，國內(nèi)的研究集中在材料生長和二極管器件制備方面。


　　微電子所張海英研究員領(lǐng)導的課題組，使用中國科技大學提供的材料，獨立開發(fā)出一套全新的“由下至上”的納米器件設(shè)計和制備方法，采用常規(guī)的接觸式光學光刻技術(shù)，以ZnO納米棒作為溝道，與柵氧、背面柵金屬形成金屬——氧化物——半導體結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管，獲得了滿意的器件測試結(jié)果，標志著國內(nèi)首個背柵ZnO納米棒場效應(yīng)晶體管的研制成功，填補了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。


　　場效應(yīng)晶體管研制的成功為新型納米器件及其應(yīng)用開辟了全新的研究領(lǐng)域，課題組將繼續(xù)深入合作，協(xié)助材料生長方制備出直徑更細的納米線，進一步完善器件工藝，提高器件性能，為實用化解決關(guān)鍵技術(shù)問題。