從事電子相關材料業(yè)務等的JSR子公司——美國JSR Micro與美國IBM就共同開發(fā)32nm工藝和22nm工藝半導體技術的新材料和工藝達成了合作協(xié)議。

此次締結協(xié)議的目的是，雙方將把低介電率層間絕緣膜（low-k）材料和光阻材料（Photoresist）等JSR此前開發(fā)并實現(xiàn)商用生產(chǎn)的材料群改進為新一代產(chǎn)品。兩公司目前正致力于共同開發(fā)新CVD low-k材料、可制作新圖形的low-k絕緣材料、以及介電率小于2的超low-k絕緣材料等的相關技術。在平板印刷領域，兩公司此前已共同開發(fā)出尖端的ArF光阻材料等。新的共同開發(fā)項目的目標是，解決將來在技術節(jié)點方面使用的圖形二次曝光（Double Patterning）相關技術和其它平板印刷材料的有關課題。