SiC元件普及還需突破三大障礙 SiC元件價(jià)格下降的前景雖然看到，但要確保SiC元件普及，還需解決三大課題。即①進(jìn)一步提高SiC元件的性能；②改善SiC基板的品質(zhì)；③開發(fā)可充分發(fā)揮SiC元件優(yōu)點(diǎn)的周邊技術(shù)。 

在①的元件性能方面，力爭(zhēng)加大二極管的輸出電流，以擴(kuò)大應(yīng)用領(lǐng)域。業(yè)界一直期待晶體管能夠盡快實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。為此，還需要在提高成品率的同時(shí)，推進(jìn)對(duì)特性的改善。 

在②的基板品質(zhì)方面，首先需要大幅降低制造成本。“要想MOSFET能夠成為業(yè)務(wù)，底板的面積單價(jià)需降至目前的1/10左右”（富士電機(jī)電子技術(shù)）。 要想降低基板的成本，就必須迅速擺脫對(duì)Cree的過度依賴。要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，就需要有眾多的廠商能夠制造出品質(zhì)可與Cree相媲美的底板。 此外，還必須大幅提高SiC元件的生產(chǎn)效率，使元件的價(jià)格下降。因此，業(yè)界熱切希望能夠推出6英寸底板。 

周邊技術(shù)將成焦點(diǎn)在③的周邊技術(shù)的改善方面，需要提高耐熱性、通過周邊技術(shù)減少損失，以及確立新的降噪對(duì)策。 要提高耐熱性，逆變器模塊的封裝材料以及焊錫、控制電路、電容器等就成為考慮的對(duì)象。Si元件在200℃高溫時(shí)會(huì)停止工作，因此以前的周邊部件只要具備200℃以下的耐熱性就足以滿足要求。但SiC元件在200℃以上的高溫下依然工作，因此周邊部分也要能夠承受200℃以上的高溫。 需要通過周邊技術(shù)來減少損失是因?yàn)樵a(chǎn)生的損失將大幅減少。

“Si元件產(chǎn)生的損失在電源電路整體損失中的比例高達(dá)約60％。而如果是SiC元件的話，元件產(chǎn)生的損失就會(huì)大幅減少。因此，電路技術(shù)及封裝技術(shù)的改善就愈發(fā)重要”（產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所功率半導(dǎo)體電子研究所所長(zhǎng)奧村元）。今后，對(duì)這些周邊技術(shù)，“元件特性大幅改善，以前不能利用的布局及電路方式也有重新利用的可能性”。