SEMI預(yù)測，2010年全球晶圓廠成長幅度將達64%，規(guī)模達240億美元。但預(yù)計其中很大部份(約140億美元)將來自少數(shù)幾家公司──半導(dǎo)體界的‘六大天王’(Fantastic Six)，已經(jīng)宣布了他們積極的投資計劃。

在這前所未見的低迷氣氛中，過去一年來，這些公司發(fā)布的大規(guī)模投資計劃著實令人驚訝。SEMI的研究顯示，未來2年內(nèi)，這六家公司還將投入大量資金，以迎接經(jīng)濟挑戰(zhàn)。

臺積電(TSMC)：在經(jīng)濟衰退之際，臺積電仍然連續(xù)兩次調(diào)高了資本支出。2009年5月，臺積電首次將其資本支出計劃從15億美元擴大為19億美元，而在同年7月底，再次宣布加碼至23億美元。2010年，隨著半導(dǎo)體需求持續(xù)復(fù)蘇，加上全球經(jīng)濟開始走出衰退陰影，臺積電的資本支出也預(yù)計將達到20億美元以上。

GlobalFoundries：GlobalFoundries的合作伙伴──來自杜拜的ATIC公司，投資了21億美元購買其晶圓廠股份。ATIC已承諾額外注入36億美元股票資金(equity funding)，并在未來5年內(nèi)提高至60億美元，協(xié)助GlobalFoundries擴展業(yè)務(wù)。2009年，該晶圓廠的資本支出估計在6~7億美元之間，未來兩年則可望提升至每年10億美元以上。

東芝(Toshiba)：2009年6月，東芝開始在全球股票市場集資30億美元進行晶圓廠投資。這是過去8年來，全日本由非金融公司所進行的最大股票發(fā)行案。東芝將繼續(xù)專注于NAND閃存，并擴大其與IBM聯(lián)盟的伙伴關(guān)系，并更新與三星(Samsung)的NAND專利協(xié)議。東芝公司在2009~2011會計年度的的總資本支出計劃是11億日圓(約115億美元)。其中，2009年用于半導(dǎo)體事業(yè)的資本支出計劃為9,400億美元。約47億美元將用于2010和2011會計年度。2010年額度約20億美元，2011年預(yù)計將稍高一些。

三星：三星的最新動作，是將位于奧斯汀的200mm產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為300mm的后段制程(BEOL)產(chǎn)線，以支援其現(xiàn)有的300mm前段制程。三星公司(Austin)總裁Y.B. Koh希望獲得“制造業(yè)回到裸墻?！盨EMI估計，三星在2010年的資本支出約為40～50億美元，主要用于升級德州Austin 1與Austin 2，以及韓國的Line 15與Line 16產(chǎn)線。

英特爾(Intel)：2009年4月，英特爾宣布在未來幾年內(nèi)，將花費70億美元來改善現(xiàn)有設(shè)施，以推動32nm技術(shù)量產(chǎn)。SEMI預(yù)測，這70億美元中，約有30~40億美元會用于2009年，其余將用在2010年。

華亞科技(Inotera)：這家由南亞(NanYa)與美光(Micron)合資成立的公司宣布了一個16億美元的計劃，將從70nm溝槽式技術(shù)轉(zhuǎn)換到50nm的堆棧電容技術(shù)，并使用浸入式蝕刻工具。華亞擁有來自于南亞母公司臺塑的強大財政支柱。其工廠預(yù)計在今年稍晚至明年進行裝配，這可為該公司在2010年貢獻約10億美元的資本支出。

晶圓廠資本支出

2010年，全球的總晶圓廠支出(包括建造和裝配晶圓設(shè)施)也預(yù)計將增加64%，達240億美元。而隨著這持續(xù)升級投資，六家廠商將占據(jù)總支出的一半以上。64%增幅看似非常高，但我們?nèi)皂毧紤]此一增長是以2009年的歷史最低水平為基礎(chǔ)。僅僅5億美元的資本支出差異，對成長率的影響就可能達到4%。

將2010年的支出額與2008年相較(見表1)，增長率將出現(xiàn)負值。事實上，工廠的總支出(建筑加裝備)在2010年將保持在2003年以來最低水平──當年的資本支出額約220億美元。

表1：2008~2010年資本支出比較

*裝配晶圓廠：任何與前端設(shè)備相關(guān)的費用，包括使用全新或二手設(shè)備的晶圓加工、光罩(mask/reticle)以及其它配套設(shè)備。

2009下半年，每季的總晶圓廠裝配(含建造和裝機)成長率可望達到2位數(shù)，到2010年還可望維持8%~15%的成長率(圖1)。

圖1：前段制程設(shè)備的支出(含建造和裝機)

2010年，花費最多資金用于建造晶圓廠的地區(qū)將是美國。但在對于裝機方面美國也將名列第一，其次是臺灣和韓國。2009年，超過32家公司很對總晶圓廠資本支出的貢獻度可能達140~150億美元。而到了2010年，該數(shù)字可望變成超過40家公司共同貢獻了約240億美元的資本支出。而前面提到的六家主要業(yè)者，在2010年的資本支出額度預(yù)估將達140億美元，等同于2009年全球所有晶圓廠的總資本支出額度(140~150億美元)。

晶圓廠產(chǎn)能

半導(dǎo)體界‘六大天王’約占全球30%產(chǎn)能。這些業(yè)者在2009與2010年的投資大部份集中在升級其晶圓廠，而非投資新的晶圓廠。GlobalFoundries的產(chǎn)能相較之下少于其它五大天王，然而，這家新進入的代工業(yè)者才剛開始擴充產(chǎn)能，同時也在為新的晶圓廠做準備。

經(jīng)濟低迷對全球產(chǎn)能也造成了影響。由于2009年積弱不振的資本支出，不少生產(chǎn)線也宣告停止運轉(zhuǎn)。SEMI預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，到2009年底大約有31家晶圓廠會關(guān)門大吉，另外還有16家可能在2010年退場。

2009年第一季，晶圓廠的平均產(chǎn)能利用率下降了約56%(業(yè)界各別公司回報的下降幅度約在30%~70%之間)。雖然一些公司(如臺積電)目前正在運轉(zhuǎn)中的一些廠房利用率已達滿載，但在2009年底，整體產(chǎn)能利用率仍可能在70%~80%之間。

圖2：內(nèi)存、晶圓代工、邏輯/模擬及其它等不同類別產(chǎn)品的裝機產(chǎn)能。

內(nèi)存在裝機產(chǎn)品中占最大比重，從2002~2007年，隨著導(dǎo)入300mm晶圓廠，每年成長率均保持在20%~50%。然而，2008年內(nèi)存的產(chǎn)能成長率放緩至8%，2009年的成長率則約為-5%~-6%。2010年，內(nèi)存的裝機產(chǎn)能成長率預(yù)估為4%~5%，與過去的高成長相比，這個數(shù)字非常低。

全球NAND市場需求在2009年預(yù)估將增加約70億GB至150億GB；在2011與2012年則將增加300億~500億GB。目前，業(yè)界僅增加極少量的裝機產(chǎn)能要如何滿足這些需求，仍然是一個問號。晶圓界六大天王中，生產(chǎn)閃存的東芝、三星與英特爾(IM Flash)，將會在產(chǎn)能方面進行一些投資。不過，從破土到真正上線運轉(zhuǎn)，建造一家晶圓廠至少需要1~1.5年的時間，因此，在2010年投資建造的新晶圓廠無法提供任何新的產(chǎn)能，必須等到2011或2012年。

SEMI預(yù)測，2010年全球晶圓廠資支出增長幅度約為64%。全球各地的經(jīng)濟振興方案能提升不同地區(qū)的國家生產(chǎn)毛額(GDP)，并持續(xù)對2010年帶來更好的影響──或許可帶動其它公司加入‘六大天王’俱樂部，然后，我們談?wù)摰膶ο缶蜁兂伞叽缶扌恰?Super Seven)。