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[導讀]進入2010年后,全球半導體接連擴大設備投資,將使半導體設備市場急速膨脹。據市調機構Gartner預測統(tǒng)計,因全球半導體企業(yè)自2009年底開始為因應逐漸轉好的市場情況,紛紛進行大規(guī)模投資,2010年如光學設備等半導體制造

進入2010年后,全球半導體接連擴大設備投資,將使半導體設備市場急速膨脹。據市調機構Gartner預測統(tǒng)計,因全球半導體企業(yè)自2009年底開始為因應逐漸轉好的市場情況,紛紛進行大規(guī)模投資,2010年如光學設備等半導體制造設備將較2009年增加113%。

三星電子(SamsungElectronics)投資了較原本預定的5.5兆韓元,多63.6%的9兆韓元資本額進行新產線及30奈米DRAM量產線建設。日前也發(fā)表對位于美國德州奧斯汀的半導體工廠進行36億美元的投資計劃。

海力士(Hynix)也將年初設定的2.3兆韓元資本額提升32.6%至3.05兆韓元。東芝(Toshiba)投資3,500億日圓建設產線、爾必達(Elpida)也發(fā)表將投資600億日圓進行工程轉換,南亞也將花費新臺幣220億元進行設備投資。

2010年初每顆價格約2.4美元的DDR3芯片最近的固定交易價約為2.7美元,與年初約為3美元的現貨價格相比略微下跌,但5月底仍維持在2.6美元在線。Gartner表示,隨著半導體需求持續(xù)增加,設備市場的成長趨勢將持續(xù)至2011年,然至2012年將逐漸趨緩。
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