12月6~8日于美國舊金山舉行的2010年IEEE國際電子元件會議(International Electron Device Meeting，IEDM)，呈現(xiàn)了三個顯著的主題趨勢：首先，與技術相關的論文數(shù)量減少；其次，業(yè)界對于未來制程節(jié)點的下一代電晶體架構仍缺乏共識；第三，盡管有一大堆新奇的技術冒出頭，芯片制造商還是堅持認為經(jīng)濟學與成本才是他們決定未來電晶體與制程技術的推手。

在過去，眾家晶片制造商競逐摩爾定律(Moore’sLaw)與先進制程技術的開發(fā)，也因此在IEDM上會有大量相關論文發(fā)表；而今日，先進晶片制造商越來越少，也導致今年該會議論文數(shù)大幅減少。IEDM大會主席、來自臺積電(TSMC)的MeikeiIeong在會議期間表示："我并沒有看到論文數(shù)量有回升的趨勢。"

IEDM論文數(shù)量減少也可能有其他原因；過去先進晶片制造商的態(tài)度較為開放，也常愿意針對即將問世的新技術提供暗示；例如IBM、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、臺積電與聯(lián)電(UMC)等廠商，都會投稿大量論文發(fā)表其最新、最厲害的制程開發(fā)成果。

在今年的會議上，僅有少量論文提供了晶片供應商下一步發(fā)展的線索；許多先進晶片制造商的態(tài)度都轉趨謹慎，也不想把技術發(fā)展方向透露給對手知道。今年IEDM上發(fā)表的論文以學術性質居多，或是在細節(jié)上透露不多，讓部分參加者不太滿意。

不過在今年的IEDM上，還是有不少傳言討論先進數(shù)位晶片制造商可能會在22/20奈米節(jié)點的電晶體架構上可能會采取的策略方向；大多數(shù)業(yè)界人士相信，先進晶圓代工廠可能會延長使用bulkCMOS制程技術。

其中有不少猜測是針對英特爾而來，有人認為該公司將延長使用bulkCMOS技術，其他人則認為該公司會采用全空乏(fully-depleted)──或稱超薄絕緣上覆矽(extrathinSOI)；還有一個消息來源甚至指出，英特爾打算在22奈米或15奈米制程節(jié)點采用三閘(tri-gate)架構。

其他候選技術還包括采用矽穿孔(through-siliconvias，TSV)技術的3D晶片制程，這是不需依賴半導體制程的技術，而如果晶片制造商能夠達成以合理成本量產(chǎn)矽穿孔3D晶片，該技術可能會成為半導體制程發(fā)展藍圖中半途殺出的程咬金。

目前，先進晶片制造商在32/28奈米節(jié)點所采用的，是傳統(tǒng)bulkCMOS制程與平面架構的電晶體；但顯然："對于20奈米節(jié)點到底將會是哪種電晶體出線，業(yè)界仍存在著憂慮。"市場研究機構VLSIResearch執(zhí)行長G.DanHutcheson表示："在電晶體架構方面，較安全的賭注是將傳統(tǒng)CMOS技術延伸使用到下一個世代。"

SemicoResearch的分析師JoanneItow也同意以上節(jié)點，其理由是基于成本；Itow表示，試圖在22/20奈米節(jié)點轉用新奇的電晶體架構，不但代價太昂貴、風險也太高。只是，究竟晶片制造商還能把目前的bulkCMOS技術延伸使用多久，還是個未知數(shù)。

在22/20奈米節(jié)點之后，對于預期在2013年問世的16奈米邏輯制程節(jié)點之實際電晶體架構，晶片制造商之間的共識非常?。荒壳芭_面上也有不少候選技術，包括三五族半導體(III-V)、bulkCMOS、FinFET、全空乏SOI、多閘極(multi-gate)等等。

至于還有更遠一段距離的16奈米以下制程節(jié)點，可能采用的技術范圍更是完全開放，除了現(xiàn)有的技術，還有其他各種新奇的架構，例如三五族半導體、碳奈米管、石墨烯(graphene)、量子阱(quantumwell)FET等等。