爾必達發(fā)布上季度結(jié)算報告 公司繼續(xù)維持虧損經(jīng)營
[導(dǎo)讀]爾必達發(fā)布了2011財年第一季度（2011年4～6月）結(jié)算報告。受DRAM價格大幅下滑影響，該公司第一季度仍持續(xù)營業(yè)虧損狀態(tài)。但爾必達指出，即便在困境中還是確保了其領(lǐng)先于競爭對手的技術(shù)優(yōu)勢，并指出了其他競爭公司將被
爾必達發(fā)布了2011財年第一季度（2011年4～6月）結(jié)算報告。受DRAM價格大幅下滑影響，該公司第一季度仍持續(xù)營業(yè)虧損狀態(tài)。但爾必達指出，即便在困境中還是確保了其領(lǐng)先于競爭對手的技術(shù)優(yōu)勢，并指出了其他競爭公司將被甩在后邊的可能性。
結(jié)算報告顯示，銷售額為同比（YoY）減少45.7％、環(huán)比（QoQ）增加3.9％的957億日元。營業(yè)利潤為虧損38億日元（上年同期為盈利444億日元，上季度為虧損52億日元），純利潤為虧損79億日元（上年同期為盈利307億日元，上季度為虧損82億日元）。銷售額減少的原因是，DRAM價格下滑超過了預(yù)期。東日本大地震導(dǎo)致的對DRAM采購擔憂，曾造成面向大客戶及現(xiàn)貨的價格的一時性上漲，但之后采購憂慮的解除和最終產(chǎn)品需求低迷，致使價格急劇下滑。據(jù)爾必達介紹，實際上，截至8月5日，2Gbit產(chǎn)品面向大客戶價格已降至1.59美元，現(xiàn)貨價格降至1.09美元。結(jié)果造成當初預(yù)期的20～30％環(huán)比bit增長率僅達為15％。關(guān)于今后的預(yù)測結(jié)果，第二季度（2011年7～9月）的環(huán)比bit增長率為10％左右，全財年（2011年4月～2012年3月）的同比bit增長率為40～50％。DRAM市場行情方面，最早將在9月、最遲將在11月觸底反彈。
結(jié)算報告稱，市場正由個人電腦（PC）用存儲器模塊轉(zhuǎn)向智能手機、平板終端及“UltraBook”等將DRAM直接安裝在印刷基板上的形態(tài)，擁有技術(shù)實力來應(yīng)對這種需求轉(zhuǎn)變的DRAM廠商將獲得市場份額，爾必達強調(diào)其比其他競爭公司具有優(yōu)勢。具體為，作為可省空間大容量封裝技術(shù)，爾必達開發(fā)出了重疊有4塊DRAM芯片的PoP（packageonpackage）、DDP（doubledensitypackage）及TSV（throughSiliconvia）等多種封裝技術(shù)，而芯片方面，該公司已開發(fā)出3Xnm技術(shù)以及采用HKMG（高介電率柵極絕緣膜與金屬柵極電極的組合）的4Xnm技術(shù)，采用HKMG的25nm技術(shù)也將在2012年開發(fā)完畢，這些技術(shù)均為全球首創(chuàng)，而且領(lǐng)先于其他競爭公司。據(jù)爾必達介紹，面向這些之后的20nm技術(shù)的實現(xiàn)也已經(jīng)有了眉目。但1Xnm技術(shù)還存在不確定因素，比如因每單元的蓄積電子數(shù)量減少至數(shù)萬個，需要放寬DRAM規(guī)格，還需要考慮采用EUV曝光技術(shù)等。
結(jié)算報告顯示，銷售額為同比（YoY）減少45.7％、環(huán)比（QoQ）增加3.9％的957億日元。營業(yè)利潤為虧損38億日元（上年同期為盈利444億日元，上季度為虧損52億日元），純利潤為虧損79億日元（上年同期為盈利307億日元，上季度為虧損82億日元）。銷售額減少的原因是，DRAM價格下滑超過了預(yù)期。東日本大地震導(dǎo)致的對DRAM采購擔憂，曾造成面向大客戶及現(xiàn)貨的價格的一時性上漲，但之后采購憂慮的解除和最終產(chǎn)品需求低迷，致使價格急劇下滑。據(jù)爾必達介紹，實際上，截至8月5日，2Gbit產(chǎn)品面向大客戶價格已降至1.59美元，現(xiàn)貨價格降至1.09美元。結(jié)果造成當初預(yù)期的20～30％環(huán)比bit增長率僅達為15％。關(guān)于今后的預(yù)測結(jié)果，第二季度（2011年7～9月）的環(huán)比bit增長率為10％左右，全財年（2011年4月～2012年3月）的同比bit增長率為40～50％。DRAM市場行情方面，最早將在9月、最遲將在11月觸底反彈。
結(jié)算報告稱，市場正由個人電腦（PC）用存儲器模塊轉(zhuǎn)向智能手機、平板終端及“UltraBook”等將DRAM直接安裝在印刷基板上的形態(tài)，擁有技術(shù)實力來應(yīng)對這種需求轉(zhuǎn)變的DRAM廠商將獲得市場份額，爾必達強調(diào)其比其他競爭公司具有優(yōu)勢。具體為，作為可省空間大容量封裝技術(shù)，爾必達開發(fā)出了重疊有4塊DRAM芯片的PoP（packageonpackage）、DDP（doubledensitypackage）及TSV（throughSiliconvia）等多種封裝技術(shù)，而芯片方面，該公司已開發(fā)出3Xnm技術(shù)以及采用HKMG（高介電率柵極絕緣膜與金屬柵極電極的組合）的4Xnm技術(shù)，采用HKMG的25nm技術(shù)也將在2012年開發(fā)完畢，這些技術(shù)均為全球首創(chuàng)，而且領(lǐng)先于其他競爭公司。據(jù)爾必達介紹，面向這些之后的20nm技術(shù)的實現(xiàn)也已經(jīng)有了眉目。但1Xnm技術(shù)還存在不確定因素，比如因每單元的蓄積電子數(shù)量減少至數(shù)萬個，需要放寬DRAM規(guī)格，還需要考慮采用EUV曝光技術(shù)等。
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