作為全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線，9月22日，三星電子16號半導(dǎo)體生產(chǎn)線竣工投產(chǎn)，其主要產(chǎn)品為20納米級NAND閃存。三星電子還將首次實現(xiàn)20納米級DDR3內(nèi)存設(shè)備的量產(chǎn)，成為全球最早量產(chǎn)20納米級存儲器產(chǎn)品的企業(yè)。

據(jù)悉，三星電子16號半導(dǎo)體生產(chǎn)線自去年5月開工建設(shè)，經(jīng)過短短的15個月即投入運行，總面積約為20萬平方米，建筑達(dá)12層，也是全球最大規(guī)模，最先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線。三星電子方面表示，三星電子16號半導(dǎo)體生產(chǎn)線今年2月竣工、5月建成潔凈室（CleanRoom）、6月開始產(chǎn)品測試、8月完備量產(chǎn)系統(tǒng)，計劃從本月起，每月生產(chǎn)1萬片以上的12英寸晶圓20納米高速NAND閃存。到今年末，三星將按照NAND閃存的需求，逐漸增加12英寸晶圓的生產(chǎn)規(guī)模，明年計劃量產(chǎn)10納米級大容量高速閃存。三星計劃今年內(nèi)研發(fā)20納米級4GbDDR3內(nèi)存，明年開始量產(chǎn)4GB、8GB、16GB、32GB等大容量產(chǎn)品。三星將從企業(yè)服務(wù)器市場到筆記本市場等各種IT市場上不斷擴大綠色內(nèi)存的比重。