日本北陸尖端科學技術大學院大學宣布，其研究小組開發(fā)出能制作大面積硅薄膜“silicene”的技術。這種只有一個原子厚的薄膜，可具備半導體的性質，有望用于制造高速電子線路等。

研究小組在1厘米長、1厘米寬的硅基板表面，覆蓋上陶瓷薄膜，然后在特殊真空裝置中將其加熱到900攝氏度。于是，硅基板所含的硅元素就穿透陶瓷薄膜，出現在陶瓷薄膜表面，形成硅薄膜。如果將基板做得更大，就可以制作出更大面積的硅薄膜。

只有一個碳原子厚的石墨烯是迄今世界上最薄的材料，它的發(fā)明者因為這種具備諸多神奇性質的材料獲得了2010年諾貝爾物理學獎。“silicene”被譽為硅版石墨烯而受到物理學界的關注。

研究小組帶頭人、北陸尖端科學技術大學院大學副教授高村由起子指出：“今后的課題是弄清‘silicene’的形成機制，并開發(fā)出將這種薄膜從基板上剝離下來的技術。”