富士通半導(dǎo)體(Fujitsu)宣布推出全新具有靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)相容型并列介面的4Mbit鐵電隨機(jī)記憶體(FRAM)晶片--MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝，并且與標(biāo)準(zhǔn)低功耗SRAM相容，因此能夠在工業(yè)機(jī)械、辦公自動(dòng)化設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及其他設(shè)備等應(yīng)用中，取代原有具備高速資料寫入功能的SRAM。

FRAM具備非揮發(fā)性資料儲(chǔ)存功能，即使在電源中斷的狀況下仍能保護(hù)資料；隨機(jī)存取功能則能高速寫入資料。由于FRAM在寫入資料時(shí)若面臨電源臨時(shí)中斷或是停電，仍舊能夠安全地儲(chǔ)存資料，因此即使在電源中斷時(shí)還是能夠立即儲(chǔ)存參數(shù)資訊并即時(shí)記錄設(shè)備上的資料數(shù)據(jù)。

另外，MB85R4M2T無(wú)須任何電池即可持續(xù)地儲(chǔ)存資料，因此有助于發(fā)展更小型、更省電的硬體設(shè)備，且能降低總成本。其優(yōu)勢(shì)包含減少電路板面積，由于MB85R4M2T不須要透過(guò)電池儲(chǔ)存資料，因此能減少50%以上產(chǎn)品中所使用印刷電路板(PCB)記憶體與相關(guān)零件的面積。此外MB85R4M2T能降低功耗，相較于SRAM在主電源關(guān)閉的情況下將資料保存在記憶體時(shí)，每秒需要消耗約15微瓦(μW)的電流以保存資料，F(xiàn)RAM為非揮發(fā)性的記憶體，在電力關(guān)閉情況下不會(huì)耗費(fèi)任何電力。FRAM移除電池不僅降低零件成本，也免除所有電池更換或維修相關(guān)的周期性成本，能大幅減低開發(fā)及營(yíng)運(yùn)的總成本。