制造方法如下。首先，將單晶SiC基片貼合在多晶SiC基片上。然后，一邊加熱一邊將單晶基片從多晶基片上剝離，剝離時使單晶基片的一部分留在多晶基片上。對單晶基片還粘在多晶基片上的部位實施研磨等處理，然后作為制造功率元件使用的基片出貨，制造功率元件時，將元器件結構設置在單晶SiC上。

將剝離下來的單晶基片再次貼到多晶基片上，然后進行上述操作。反復進行這一系列操作后，就能由一塊單晶基片制作出多塊超薄基片，從而降低了每塊基片的成本。

Sicoxs還利用通過這種制造方法制作的薄型SiC基片試制出了二極管。據介紹，京都大學大學院工學研究科電子工學專業(yè)副教授須田淳的研究團隊對該試制品進行了評估，完全可以正常工作。

另外，該技術的詳細情況已在SiC相關國際學會“ICSCRM 2013”（宮崎縣，2013年9月29日～10月4日舉行）上發(fā)表。（記者：根津 禎，《日經制造》）