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[導(dǎo)讀]資料中心(Data Center)將成驅(qū)動(dòng)記憶體業(yè)成長(zhǎng)的新動(dòng)能。隨著云端服務(wù)崛起,全球資料中心逐漸往大型(Large)及超大型(Very-Large)發(fā)展;目前這兩類資料中心占整體資料中心的資本支出比重已達(dá)六成,且未來(lái)仍將節(jié)節(jié)攀升,

資料中心(Data Center)將成驅(qū)動(dòng)記憶體業(yè)成長(zhǎng)的新動(dòng)能。隨著云端服務(wù)崛起,全球資料中心逐漸往大型(Large)及超大型(Very-Large)發(fā)展;目前這兩類資料中心占整體資料中心的資本支出比重已達(dá)六成,且未來(lái)仍將節(jié)節(jié)攀升,可望帶動(dòng)龐大儲(chǔ)存需求,并推助記憶體業(yè)創(chuàng)造另一波成長(zhǎng)高峰。

東芝(Toshiba)集團(tuán)前資深執(zhí)行副總裁暨現(xiàn)任常任顧問(wèn)齊藤升三(Shozo Saito)表示,企業(yè)界近年來(lái)開始仰賴巨量類比資料(Big Analog Data)運(yùn)算及分析,以提供客戶差異化的服務(wù)價(jià)值,而在分析巨量資料的過(guò)程中還會(huì)再衍伸、創(chuàng)造出新的資料,如此龐大的資料流量將使企業(yè)界面臨資訊爆炸(Info-plosion)的處境。

齊藤進(jìn)一步引述國(guó)際數(shù)據(jù)資訊(IDC)的資料表示,2010年人類創(chuàng)造的資料量為1.8ZB(Zettabyte),預(yù)估至2020年將勁揚(yáng)至35ZB,如此龐大的資料量固然為資料中心的運(yùn)算及運(yùn)作帶來(lái)巨大的負(fù)擔(dān)與挑戰(zhàn),但同時(shí)也為儲(chǔ)存技術(shù)與裝置帶來(lái)了無(wú)限商機(jī)。

Rambus執(zhí)行長(zhǎng)Ronalad Black也認(rèn)為,記憶體產(chǎn)業(yè)與云端產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將相輔相成。因應(yīng)這波龐大的商機(jī),無(wú)論是針對(duì)高效能運(yùn)算系統(tǒng)(High Performance Computing, HPC)、一般云端運(yùn)算等,相關(guān)供應(yīng)鏈廠商無(wú)不對(duì)資料中心悉心布局各種儲(chǔ)存解決方案,包括快閃記憶體(Flash Memory)、固態(tài)硬碟(Solid State Drive, SSD)、傳統(tǒng)硬碟(Hard Disk Drive, HDD)等。

齊藤指出,在眾多儲(chǔ)存解決方案中,NAND快閃記憶體將受惠最多。事實(shí)上,層出不窮的新應(yīng)用將不斷為NAND快閃記憶體帶來(lái)新的S曲線(S-curve)生命周期,如數(shù)位相機(jī)等電子產(chǎn)品,以及智慧型手機(jī)和平板電腦即分別掀起兩次NAND快閃記憶體的需求浪潮。他預(yù)估,在2015年之后將出現(xiàn)另一波大規(guī)模的資訊爆炸,勢(shì)必將為NAND快閃記憶體帶來(lái)第三波成長(zhǎng)高峰。

因應(yīng)資料中心龐大的儲(chǔ)存需求,業(yè)界亦戮力開發(fā)NAND快閃記憶體的新技術(shù)及新制程。齊藤表示,三維(3D)NAND快閃記憶體具備高密度儲(chǔ)存容量的優(yōu)勢(shì),已成產(chǎn)業(yè)界新焦點(diǎn);如東芝以BiCS(Bit-cost Scalable)結(jié)構(gòu)研發(fā)的次世代3D NAND快閃記憶體及3D可變電阻式記憶體(ReRAM)即已于2013年完成送樣,并預(yù)計(jì)在2015年正式量產(chǎn)。

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