訊：全球半導(dǎo)體大廠臺積電、英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)在10納米級多重閘極3D架構(gòu)的鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)展開激烈競爭，三星和英特爾為確保14納米FinFET技術(shù)領(lǐng)先，紛準(zhǔn)備投入量產(chǎn)，臺積電則致力于16納米FinFET技術(shù)發(fā)展。半導(dǎo)體業(yè)者透露，面對競爭對手14納米進(jìn)逼，臺積電亦布下天羅地網(wǎng)迎戰(zhàn)，傳出內(nèi)部針對16納米制程規(guī)劃3個版本，且第二版本可能直接在2014年底進(jìn)行試產(chǎn)，近期已開始說服客戶導(dǎo)入。

三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部已完成14納米FinFET設(shè)計、制程技術(shù)研發(fā)，正與應(yīng)用處理器(AP)業(yè)者進(jìn)行測試，三星14納米制程除量產(chǎn)自主研發(fā)的行動應(yīng)用處理器Exynos，亦將強(qiáng)化與高通(Qualcomm)、蘋果(Apple)等業(yè)者合作，三星計劃藉由14納米FinFET制程世代，大舉重振系統(tǒng)芯片事業(yè)，未來三星在代工事業(yè)發(fā)展上，14納米FinFET制程將是相當(dāng)重要的一步。

英特爾方面，14納米FinFET制程已達(dá)到可生產(chǎn)芯片水準(zhǔn)，目前生產(chǎn)線亦已完成穩(wěn)定性驗證，正在進(jìn)行后段制程的封裝測試。英特爾2012年在大陸成都工廠首度架構(gòu)14納米FinFET后段制程實驗產(chǎn)線，計劃2014年上半在哥斯大黎加工廠亦架設(shè)14納米制程產(chǎn)線，至于英特爾行動應(yīng)用處理器14納米FinFET制程研發(fā)，則將在美國總公司內(nèi)進(jìn)行。

由于英特爾曾在22納米制程引進(jìn)FinFET技術(shù)，因此在14納米FinFET制程可望領(lǐng)先群雄，惟14納米FinFET制程用在行動應(yīng)用處理器時能發(fā)揮多大性能，仍是未知數(shù)。三星在FinFET制程技術(shù)亦不遑多讓，南韓業(yè)者表示，三星14納米FinFET制程在應(yīng)用處理器和SRAM等記憶體測試時，都獲得不錯成果，未來半導(dǎo)體三強(qiáng)在應(yīng)用處理器和代工市場競爭將越演越烈。