要量測流過功率 MOSFET 或 IGBT 的高電流(10到100A)，往往需要大的電阻器，因而產(chǎn)生過量的功率損耗 (10到30W)。 IR25750 則可在開關導通時從功率 MOSFET 的內(nèi)部導通電阻或IGBT的VCE(on) 取出電壓，不需大型外部電流感測電阻器和散熱片，還避免過量的功率損耗。

IR25750 的閘極驅(qū)動輸入為IC供應 VCC 電源電壓，并把導通電阻或 VCE (on) 感測電路與 MOSFET 或IGBT 的開關時間進行同步。新元件利用IR專利的高壓技術(shù)，在開關非導通時阻斷高 VDS 或 VCE 電壓所需的600V阻斷能力。其他主要功能包括低閘極輸入電容器、在導通時的內(nèi)部濾波延遲 (一般為200奈秒)，以及 GATE 和 CS 接腳上的內(nèi)部20.8V齊納箝位 (Zener clamp)。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：「IR25750 電流感測IC是新的組合區(qū)塊，利用功率 MOSFET 的導通電阻或 IGBT 的VCE(on) 量測電流，不需大型外部電流感測電阻器。這些功能可大幅提升常用交換式電力電子產(chǎn)品、馬達控制和產(chǎn)業(yè)設備等高電流應用的效率，并顯著節(jié)省空間?！?/p>

IR25750 在所有輸入及輸出上均具有整合式防靜電能力和超卓的閂鎖免疫力，帶來無堅不摧的單晶片保護。該元件符合產(chǎn)業(yè)級標準及第一級濕度感應度(MSL1) 標準。

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