要量測(cè)流過功率 MOSFET 或 IGBT 的高電流(10到100A)，往往需要大的電阻器，因而產(chǎn)生過量的功率損耗 (10到30W)。 IR25750 則可在開關(guān)導(dǎo)通時(shí)從功率 MOSFET 的內(nèi)部導(dǎo)通電阻或IGBT的VCE(on) 取出電壓，不需大型外部電流感測(cè)電阻器和散熱片，還避免過量的功率損耗。

IR25750 的閘極驅(qū)動(dòng)輸入為IC供應(yīng) VCC 電源電壓，并把導(dǎo)通電阻或 VCE (on) 感測(cè)電路與 MOSFET 或IGBT 的開關(guān)時(shí)間進(jìn)行同步。新元件利用IR專利的高壓技術(shù)，在開關(guān)非導(dǎo)通時(shí)阻斷高 VDS 或 VCE 電壓所需的600V阻斷能力。其他主要功能包括低閘極輸入電容器、在導(dǎo)通時(shí)的內(nèi)部濾波延遲 (一般為200奈秒)，以及 GATE 和 CS 接腳上的內(nèi)部20.8V齊納箝位 (Zener clamp)。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：「IR25750 電流感測(cè)IC是新的組合區(qū)塊，利用功率 MOSFET 的導(dǎo)通電阻或 IGBT 的VCE(on) 量測(cè)電流，不需大型外部電流感測(cè)電阻器。這些功能可大幅提升常用交換式電力電子產(chǎn)品、馬達(dá)控制和產(chǎn)業(yè)設(shè)備等高電流應(yīng)用的效率，并顯著節(jié)省空間?！?/p>

IR25750 在所有輸入及輸出上均具有整合式防靜電能力和超卓的閂鎖免疫力，帶來無堅(jiān)不摧的單晶片保護(hù)。該元件符合產(chǎn)業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)及第一級(jí)濕度感應(yīng)度(MSL1) 標(biāo)準(zhǔn)。

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