開發(fā)寬禁帶功率半導體 布局下個十年

三安光電本次公告成立的廈門三安光電集成電路公司主要開發(fā)用于通信、遙測、導航及各種節(jié)能器件的集成電路產(chǎn)品，也就是基于GaN、SiC等第三代半導體材料的寬禁帶功率器件，公司過去10年一路發(fā)展成為國內(nèi)LED芯片龍頭，在GaNLED外延技術上已經(jīng)逼近國際大廠，設立集成電路子公司開始布局寬禁帶功率半導體將為公司未來的發(fā)展打開新的空間。

寬禁帶功率器件是軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心：寬禁帶半導體器件可以實現(xiàn)高耐壓、低導通電阻、更高工作頻率，相比于傳統(tǒng)的半導體材料具備更為強大的功能且更為高效節(jié)能，GaN/SiC功率器件在AC/DC、DC/DC、DC/AC電流轉換中損耗大幅低于Si器件，未來可以大幅消減電力損耗的寬禁帶半導體功率器件將廣泛應用于光伏逆變器、節(jié)能電機、大型數(shù)據(jù)中心、電網(wǎng)、電動汽車領域，成為整個節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心，同時其高輸出功率、輸出效率及功率增益特性，也是軍民用微波應用的首選，因此日美政府都把寬禁帶半導體技術作為重中之重，我們估算到2020年整個寬禁帶半導體分立器件的市場容量有望達到250億美元以上，遠超LED芯片市場(具體參見我們2013年10月的專題報告《寬禁帶半導體：軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心》)；軍用領域先行，民用市場逐步開啟：目前寬禁帶半導體主要應用于軍用雷達，如美國TriQuint、RFMD等企業(yè)開發(fā)微波功率器件應用于美軍導彈防御雷達和干擾機雷達，隨著2013年日本企業(yè)全線切入寬禁帶半導體領域，民用市場也逐步啟動，電動汽車、光伏逆變器、電網(wǎng)將成為主要的應用領域。

從三安光電本次的合作方看，成都亞光電子為原國營亞光電工總廠改制企業(yè)，主要開發(fā)微波半導體器件和集成電路產(chǎn)品，為軍事電子裝備和民用電子整機配套，而中航國際投資則率屬于中航工業(yè)集團，同時本次合作三方為排他性合作，因此預計在寬禁帶半導體產(chǎn)品開發(fā)的前期將主要以軍用領域為目標市場，作為國內(nèi)極少數(shù)幾家能夠開發(fā)寬禁帶功率器件的企業(yè)，未來將得到各方大力的支持。