核心提示：Ziptronix Inc. 與 EV Group（簡稱“EVG ”）今日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機和 SmartView ? NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)。

Ziptronix Inc. 與 EV Group（簡稱“EVG ”）今日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機和 SmartView ? NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)。

Ziptronix 的首席技術官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示：“DBI 混合鍵合技術的性能不受連接間距的限制，只需要可進行測量的適當?shù)膶屎筒季止ぞ?，而這是之前一直未能解決的難題。EVG 的融合鍵合設備經(jīng)過優(yōu)化后實現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對準精度，此對準精度上的改進為我們的技術的大批量生產(chǎn) (HVM) 鋪平了道路。”

新一代 3D 技術的間距測量預計將會持續(xù)多年。微間距混合鍵合已應用于高性能的 3D 內(nèi)存產(chǎn)品，并已宣布大批量生產(chǎn) 3D 圖像傳感器。DBI 混合鍵合可用在晶?；蚓A級；然而，晶圓級鍵合通過一次鍵合所有晶粒實現(xiàn)了巨大的成本優(yōu)勢。由于 大部分DBI 混合鍵合在晶圓級進行處理，故具有低總擁有成本的優(yōu)勢。

EVG 的執(zhí)行技術總監(jiān) Paul Lindner 表示：“亞微米精度對于在更廣泛應用的大批量生產(chǎn)中實現(xiàn)微間距連接是至關重要的。隨著行業(yè)推動3D集成電路的發(fā)展，我們與 Ziptronix 聯(lián)合開發(fā)生產(chǎn)方案，共同努力為客戶提供驚人的附加價值。”

Ziptronix 直接鍵合互連 (DBI?) 混合鍵合是一種導體/電介質(zhì)鍵合技術，包括各種金屬/氧化物和/或氮化物的組合，不需使用粘合劑，是目前市場上最合適量產(chǎn)的技術。此技術能夠?qū)︺~/銅或其他金屬鍵合實現(xiàn)強力、常溫絕緣鍵合、低溫導電鍵合和微間距互連，因為在絕緣和導電表面之間均進行鍵合，故能有效鍵合整個襯底界面區(qū)域。

EVG 用于通用對準的 SmartView ? NT 自動鍵合對準系統(tǒng)提供了一種晶圓級的面與面之間對準的專有方法，這是在多晶圓堆疊中達到先進技術所需精度要求的關鍵。除了改善 SmartView ? NT 鍵合對準機的對準功能以達到亞微米級的精度，EVG 進行優(yōu)化，使得表面可以同時為鍵合、電氣連接性和機械強度做好準備。