ST產(chǎn)品、技術(shù)及高管獲得電子成就獎(jiǎng)
摘要: 意法半導(dǎo)體(ST)的產(chǎn)品、技術(shù)及高管入圍《電子工程專輯》和《電子技術(shù)設(shè)計(jì)》電子成就獎(jiǎng),F(xiàn)D-SOI 技術(shù)成功入圍能源技術(shù)獎(jiǎng).
關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體,能源技術(shù),FD-SOI芯片
意法半導(dǎo)體(ST)的產(chǎn)品、技術(shù)及高管入圍《電子工程專輯》和《電子技術(shù)設(shè)計(jì)》電子成就獎(jiǎng),F(xiàn)D-SOI 技術(shù)成功入圍能源技術(shù)獎(jiǎng).
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體宣布其產(chǎn)品、技術(shù)及高管入圍兩大全球知名電子技術(shù)專業(yè)媒體《電子工程專輯》(EETimes)和《電子技術(shù)設(shè)計(jì)》(EDN)聯(lián)合設(shè)立的2013年度電子成就(ACE)獎(jiǎng)的6個(gè)類別獎(jiǎng)。除一項(xiàng)新技術(shù)和一名高級(jí)管理人員外,還有4款意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品入圍《電子工程專輯》和《電子技術(shù)設(shè)計(jì)》的“終極產(chǎn)品”獎(jiǎng)。
在能源技術(shù)類,意法半導(dǎo)體的全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)制程成功入圍的部分原因是此項(xiàng)技術(shù)能夠在兩個(gè)不同的方面降低二氧化碳的排放量。首先,F(xiàn)D-SOI芯片制程較同級(jí)別的體效應(yīng)技術(shù)節(jié)省工序15%,可直接評(píng)估單位晶片制造能耗節(jié)省效果。更重要地是,根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略,F(xiàn)D-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗。
在年度高管類,盡管市場(chǎng)低迷,意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼模擬器件、MEMS與傳感器產(chǎn)品部總經(jīng)理Benedetto Vigna卻取得了出色的業(yè)績(jī)。雖然半導(dǎo)體市場(chǎng)萎縮2%,他運(yùn)用其技術(shù)專長(zhǎng)(擁有150余項(xiàng)專利)、敏銳的市場(chǎng)遠(yuǎn)見(jiàn)以及管理能力,領(lǐng)導(dǎo)其團(tuán)隊(duì)取得了輝煌的成績(jī),MEMS銷售達(dá)到10億美元 ,擴(kuò)大意法半導(dǎo)體手機(jī)和移動(dòng)MEMS市場(chǎng)份額接近50% ,出貨量突破30億大關(guān)。
意法半導(dǎo)體還有四款產(chǎn)品入圍“終極產(chǎn)品”獎(jiǎng):
在處理器類,STM32F3系列ARM Cortex M微控制器。為高效處理混合信號(hào)而優(yōu)化,該系列產(chǎn)品可用于三相電機(jī)控制、生物識(shí)別、工業(yè)傳感器輸出或音頻濾波器;
在開(kāi)發(fā)工具類,M24LR探索套件能源收集開(kāi)發(fā)工具。該評(píng)估套件為開(kāi)發(fā)人員設(shè)計(jì)無(wú)電池的能夠與NFC手機(jī)或RFID讀寫(xiě)器交換數(shù)據(jù)的應(yīng)用設(shè)計(jì)提供所需的全部功能;
在傳感器類,市場(chǎng)首款雙核陀螺儀能夠處理大規(guī)模用戶運(yùn)動(dòng)識(shí)別和小規(guī)模相機(jī)圖像穩(wěn)定;
在接口類,“Mystique”高速主動(dòng)協(xié)議雙向接口轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品用于在計(jì)算機(jī)與消費(fèi)電子產(chǎn)品最常用的數(shù)字顯示器接口DisplayPort 和 HDMI之間管理音視頻信號(hào)。
《電子工程專輯》和《電子技術(shù)設(shè)計(jì)》的編輯人員將于DESIGN West展覽會(huì)期間宣布獲獎(jiǎng)?wù)?,頒獎(jiǎng)儀式定于2013年4月23日星期二晚6:30在Sainte Claire酒店舉行。