摘要：  作為一家半導(dǎo)體邏輯非易失性存儲(chǔ)器(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)供應(yīng)商，Kilopass科技有限公司日前宣布，成長(zhǎng)戰(zhàn)略咨詢和市場(chǎng)研究的重要供應(yīng)商Frost & Sullivan授予其2012年NVM全球技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)。

關(guān)鍵字：  邏輯CMOS，  存儲(chǔ)器，  芯片

作為一家半導(dǎo)體邏輯非易失性存儲(chǔ)器(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)供應(yīng)商，Kilopass科技有限公司日前宣布，成長(zhǎng)戰(zhàn)略咨詢和市場(chǎng)研究的重要供應(yīng)商Frost & Sullivan授予其2012年NVM全球技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)。

Kilopass在標(biāo)準(zhǔn)邏輯CMOS過(guò)程的基礎(chǔ)上將NVM位密度提高四倍，因而獲得該獎(jiǎng)對(duì)虛擬交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器(VCM)的表彰。VCM的成本僅為帶類SRAM芯片區(qū)的嵌入式或外部閃存的一半不到，且現(xiàn)場(chǎng)可編程性十分靈活，因而，從微控制器到觸摸屏驅(qū)動(dòng)程序的許多應(yīng)用程序均能從VCM中獲利。

Kilopass科技公司的總裁和首席執(zhí)行官Charlie Cheng說(shuō)道：“我們很高興能獲得Frost & Sullivan的這個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。這個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)認(rèn)可了Kilopass在邏輯NVM空間上不斷創(chuàng)新的追求。我們?cè)?002年創(chuàng)造了首個(gè)邏輯反熔絲技術(shù)，而該技術(shù)現(xiàn)在被用于從游戲機(jī)到汽車(chē)的終端產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)。我們可以利用VCM，通過(guò)增加容量和性能，將我們的目標(biāo)市場(chǎng)擴(kuò)大到包括微控制器的嵌入式系統(tǒng)，同時(shí)減少4倍的內(nèi)存占用?！?/P>

在2012年非易失性存儲(chǔ)器全球技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)中，F(xiàn)rost & Sullivan用五項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)三家提供NVM存儲(chǔ)器的公司進(jìn)行評(píng)估：(1) 獨(dú)特的技術(shù)；(2) 對(duì)新產(chǎn)品/應(yīng)用程序的影響；(3) 對(duì)功能的影響；(4) 對(duì)顧客價(jià)值的影響；(5) 創(chuàng)新與行業(yè)的相關(guān)性。每一項(xiàng)滿分為10分，Kilopass在前兩項(xiàng)和最后一項(xiàng)的分?jǐn)?shù)為8分，其余兩項(xiàng)的分?jǐn)?shù)為9分，平均分為8.8分。另兩家公司在評(píng)獎(jiǎng)中的加權(quán)平均值為7.8分和6.6分。Kilopass明顯勝出。

Frost & Sullivan半導(dǎo)體組研究分析師表示：“通過(guò)VCM位技術(shù)，Kilopass使顧客能享受高位NVM，從而提供了更高的價(jià)值。這種技術(shù)能滿足從180納米到20納米的規(guī)格的多種設(shè)備的要求。對(duì)于許多需要緊湊外觀、高電池壽命和大存儲(chǔ)量的產(chǎn)品和新應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)，它是一種十分理想的技術(shù)?！?/P>