[導讀]【導讀】Panasonic and imec日前發(fā)表了一項新的MEMS技術，他們使用一種特殊的SiGe（硅鍺化合物）薄膜封裝方式，研發(fā)出目前業(yè)界同時具備最高Q值與低電壓的MEMS震蕩器。
Panasonic and imec日前發(fā)表了一項新的MEMS技
【導讀】Panasonic and imec日前發(fā)表了一項新的MEMS技術，他們使用一種特殊的SiGe（硅鍺化合物）薄膜封裝方式，研發(fā)出目前業(yè)界同時具備最高Q值與低電壓的MEMS震蕩器。
Panasonic and imec日前發(fā)表了一項新的MEMS技術，他們使用一種特殊的SiGe（硅鍺化合物）薄膜封裝方式，研發(fā)出目前業(yè)界同時具備最高Q值與低電壓的MEMS振蕩器。
該振蕩器在真空封裝的薄膜內，產生扭力震動的模式，以達成高Q值的成就，并藉此完成低功秏的效果。而這項技術將可廣泛用在不統(tǒng)領域上，包含汽車電子與消費性產品。
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