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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】RFMD RFMD ®,氮化鎵 ( G aN) 晶圓代工服務(wù) 設(shè)計與制造高性能半導(dǎo)體元件的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 RF Micro Devices 代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門利用 RFMD 在化合物半導(dǎo)體技術(shù)及制造方面的行業(yè)領(lǐng)先地位,提供高可靠性

【導(dǎo)讀】RFMD RFMD ®,氮化鎵 ( G aN) 晶圓代工服務(wù) 設(shè)計與制造高性能半導(dǎo)體元件的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 RF Micro Devices

 
    代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門利用 RFMD 在化合物半導(dǎo)體技術(shù)及制造方面的行業(yè)領(lǐng)先地位,提供高可靠性、高性能、具有價格優(yōu)勢的 GaN 技術(shù) 

    日前,設(shè)計與制造高性能半導(dǎo)體元件的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 RF Micro Devices, Inc.宣
布,公司已成立一個氮化鎵 (GaN) 晶圓代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門,針對多個射頻功率市場提供
高可靠性、高性能、具有價格優(yōu)勢的 GaN 半導(dǎo)體技術(shù)。RFMD GaN 代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門利用公司在砷化鎵 (GaAs) 制造能力和周期時間方面的行業(yè)領(lǐng)先地位,以及一系列新的客戶服
務(wù),推動縮短產(chǎn)品上市時間,并盡量減少初始晶圓訂購到最后交貨之間的時間。RFMD 是
GaA 化合物半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先制造商。RFMD 的 GaN 制造與其 GaAs 制造是可互換的,并直接受益于 RFMD 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的晶圓制造能力的規(guī)模和專業(yè)技術(shù)。 

    RFMD 多市場產(chǎn)品組總裁 Bob Van Buskirk 指出,“RFMD 的代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門使GaN 代工客戶有機會利用 RFMD 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體技術(shù)及生產(chǎn)設(shè)備,及RFMD 規(guī)模制造的許多益處,包括可靠性、統(tǒng)一性、周期時間和質(zhì)量。RFMD GaN 是一項能改變射頻功率元件行業(yè)的突破性技術(shù),因為它具有出色的線性、帶寬和射頻功率密度。此外,RFMD GaN 是一項‘綠色’技術(shù),可達到比以前更高的效率,因此只需較低功耗即可實現(xiàn)類似性
能,或以類似的功耗水平實現(xiàn)更佳性能。” 

    RFMD 提供的 GaN 代工服務(wù)是業(yè)內(nèi)獨有的,因為 RFMD 經(jīng)營著業(yè)內(nèi)最大的 GaAs 制造
晶圓廠 (fab),已為客戶提供了數(shù)十億高可靠性、高品質(zhì)的基于化合物半導(dǎo)體的射頻元
件。通過利用現(xiàn)有的高產(chǎn)量生產(chǎn)資產(chǎn),RFMD 能為代工客戶提供具有可預(yù)測性、業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的可靠性及更高統(tǒng)一性的 GaN 技術(shù)。RFMD 提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的周期時間,估計其 GaN 通過晶圓制造工廠的周期時間通常比其競爭對手快 30-40%。 

    此外,通過利用 RFMD 對半導(dǎo)體工藝模型的深入了解準確預(yù)測產(chǎn)品性能,RFMD 的代
工服務(wù)業(yè)務(wù)部門能通過減少滿足客戶規(guī)格所需的試驗?zāi)P蛿?shù),降低客戶開發(fā)成本,有望受
益于 RFMD GaN 的客戶應(yīng)用包括商業(yè)和國防功率應(yīng)用方面,其涵蓋無線基礎(chǔ)設(shè)施、有線電
視線路放大器、寬帶通信、功率放大器和各種防御雷達系統(tǒng)。 

    另外,RFMD 的代工服務(wù)客戶可獲得成熟的代工服務(wù)支持團隊的服務(wù),他們具備關(guān)于
代工客戶期望和要求的第一手知識。RFMD 的代工服務(wù)支持團隊結(jié)合了作為代工服務(wù)客戶
及代工服務(wù)供應(yīng)商的 50 年代工服務(wù)經(jīng)驗。此外,RFMD 的代工服務(wù)支持團隊已經(jīng)實施了
一整套服務(wù),可最大限度地減少從訂單輸入到客戶交付的總時間。這些服務(wù)包括能實現(xiàn)高
概率初步成功的模擬模型,及能實現(xiàn)較少或無排隊時間的業(yè)務(wù)流程。 

    RFMD GaN 是一種新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù),具有比其他競爭技術(shù)更高的功率密度和
擊穿電壓,非常適合高性能功率器件。RFMD GaN 的典型工作規(guī)格參數(shù)包括工作電壓為 48
(或 65)伏,功率密度為 6 至 8 瓦/毫米,F(xiàn)T 為 11 GHz,F(xiàn) 最大值為 18 GHz,在
150°C T 通道工作時的平均無故障時間大于 108 小時。

 

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