富士經(jīng)濟公布了半導體材料全球市場的調(diào)查結果以及未來預測。2006年半導體材料的市場規(guī)模比上年增加16.9％，達到3.21萬億日元。從不同領域看，份額最大是占全體37％的“半導體晶圓”市場，達到1.18萬億日元。其次是占23％的“封裝相關”市場，達到7430億日元，然后是占12％的“光刻相關”市場，達到3860億日元。預計2012年的材料市場總體將比2006年增加28.0％，達到4.11萬億日元。
      按半導體材料市場面向前工序或后工序來看，2006年的前工序材料市場，占半導體材料市場總體的6成以上，達到2.75萬億日元，后工序材料市場達到1.1346萬億日元。富士經(jīng)濟預計，2012年前工序材料市場將比2006年增加27.4％，達到2.644萬億日元，后工序材料市場將同比增加29.5％，達到1.4692萬億日元。

電容器用高介電質(zhì)材料2012年將增至3倍
      富士經(jīng)濟指出未來3大引人注目市場是：高介電質(zhì)材料、NF3以及各向異性導電薄膜。
2006年的電容器用高介電質(zhì)材料市場比上年增加30.0％，達到65億日元。電容器用高介電質(zhì)材料是指電容器用絕緣膜中采用的、比過去的SiO2和Si3N4介電率更高的材料。2012年的市場規(guī)模將比2006年增加192.3％，達到190億日元。該材料已從研究開發(fā)階段真正進入到批量生產(chǎn)化階段，銷量也逐年增加?；仡?006年的需求，安裝微軟新操作系統(tǒng)“Windows Vista”的個人電腦和支持任天堂的新一代游戲機“Wii”用的DRAM均采用了該材料。2007年以后，DRAM和閃存也將增產(chǎn)，爾必達內(nèi)存和臺灣力晶半導體的合營公司將會進行大規(guī)模投資等，因此需求有望進一步擴大。

溫室氣體排放量限制，NF3市場急劇增長
      由于溫室氣體的排放量限制，NF3（三氟化氮）市場急劇增長。NF3代替SF6（六氟化硫），被用于等離子CVD（化學氣相沉積）裝置中使用的室內(nèi)洗滌用氣體。2006年的市場規(guī)模比上年增加16.3％，達到500億日元，供貨量達到3850噸。預計2012年，與2006年相比將增加68％，達到840億日元。受半導體和液晶面板需求擴大影響，以年均10％以上的比例增長。按不同地域看，包括日本在內(nèi)，亞洲的消費量最大，日本市場的規(guī)模達到86億日元，在650噸左右。由于300mm晶圓半導體和液晶面板的生產(chǎn)，韓國和臺灣的需求也非常大。

液晶面板需求擴大 各向異性導電薄膜增長
      由于液晶面板的驅(qū)動IC需求等原因，各向異性導電薄膜（ACF）市場持續(xù)擴大。2006年的市場規(guī)模比上年增加13.1％，達到950億日元。預計到2012年將比2006年增加47.4％，達到1400億日元。日本廠商占到市場份額的一半以上。據(jù)估計，特別是居首位的制造商日立化成工業(yè)、索尼化學情報設備2家公司將占到銷售數(shù)量的92％。