DirectFET MOSFET封裝技術基于突破性的雙面冷卻技術，在2002年推出后迅速成為了先進計算、消費及通信應用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長速度最快的產品。由于DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，IR 預期隨著有關授權協(xié)議的達成，這項封裝技術將成為多元化應用的行業(yè)標準。

       IR 公司的首席執(zhí)行官 Alex Lidow 先生表示：“我們不斷開發(fā)節(jié)省能源的技術。IR 的 DirectFET 封裝技術有助于降低能量損失并減少設計的占板面積，還能夠推動計算技術的發(fā)展。

　　他補充道：“通過這些授權協(xié)議，我們將可以擴大 IR DirectFET 創(chuàng)新封裝技術在節(jié)能方面的影響力。”