【導(dǎo)讀】華邦電80納米制程下季投產(chǎn)，溝槽式陣營暫緩顏面
     臺灣DRAM業(yè)者華邦電總經(jīng)理徐英士近日于法說會時表示，華邦電于2006年完成初步擴(kuò)產(chǎn)計畫，12寸廠月產(chǎn)能已達(dá)2.4萬片，2007年華邦電并無大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計畫，除將提升生產(chǎn)效率及良率外，還將持續(xù)進(jìn)行制程技術(shù)推進(jìn)，預(yù)計2007年第二季開始轉(zhuǎn)進(jìn)80奈米制程正式投產(chǎn)，市場分析師指出，對于溝槽式陣營而言，可說暫時先行扳回顏面，不讓堆疊式陣營動輒拿70奈米制程來暗批溝槽式陣營前途茫茫。 

      徐英士指出，華邦電2006年資本支出約新臺幣217億元，主要用于中科12寸廠擴(kuò)產(chǎn)部份，至2006年底月產(chǎn)能已達(dá)2.4萬片滿載規(guī)模，2007年無大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計畫，華邦電初步規(guī)劃，2007年資本支出降至84億元。徐英士進(jìn)一步表示，華邦電2007年將積極提升生產(chǎn)效率及良率，此外制程技術(shù)也將不斷推進(jìn)，以便能增加產(chǎn)出貢獻(xiàn)。 

      相較于華邦電預(yù)計在2007年第二季便可開始導(dǎo)入80奈米制程量產(chǎn)，臺系DRAM廠中的茂德、力晶及華亞科等廠，分別將于2007年第 
一季底，第二季中下旬以及第四季底左右分別導(dǎo)入70奈米制程，也正因為過去市場動輒將堆疊式陣營成員與溝槽式陣營相比較，而由于同屬溝槽式陣營的華亞科要到2007年第四季才開始進(jìn)入70奈米制程試產(chǎn)，為了讓溝槽式陣營能扳回顏面，華邦電的80奈米制程推出可說適時讓溝槽式陣營不會一直處于挨打地位。 

      至于華邦電為何先導(dǎo)入80奈米制程而非直接跳到70奈米制程，奇夢達(dá)（Qimonda）亞太區(qū)總裁黃振潮日前便已表示，對于80奈米制程來說，華邦電僅需采用與90奈米制程相同機(jī)器設(shè)備，無須再額外增加新的機(jī)器設(shè)備，但產(chǎn)出量上卻可足足增加20％左右，也因此對于現(xiàn)階段華邦電而言是最佳的選擇方案。 

      華邦電上周也公布2006年第四季自結(jié)財務(wù)報告，營收為新臺幣111.6億元，稅后盈余為 17.27億元，每股盈余 0.45元，累計2006年全年總營收為344.88億元，較2005年增加24％，稅后盈余為23.64億 元，每股盈余0.62元，較前1年每股虧損0.35元情況已是大幅改善，并正式轉(zhuǎn)虧為盈。 

      華邦電董事會亦初步?jīng)Q議，2006年度盈余分配暫定每股將派發(fā)0.3元現(xiàn)金股息。在記憶體產(chǎn)品方面，華邦電指出12寸廠產(chǎn)能及良率于2006年第四季達(dá)成預(yù)期目標(biāo)，制程技術(shù)順利推進(jìn)至90奈米制程，利基型動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(Specialty DRAM)產(chǎn)能陸續(xù)導(dǎo)入0.11微米制程，生產(chǎn)效率大為提升，后段封測成本降低，致營業(yè)毛利增加；標(biāo)準(zhǔn)型記憶體受惠于市場價格不錯，以及在出貨量增加之帶動下，創(chuàng)造記憶體產(chǎn)品營收成長佳績。 

      在邏輯產(chǎn)品方面，華邦電指出，2006年第四季消費性邏輯產(chǎn)品之語音IC (Speech IC)表現(xiàn)淡季不淡；電腦邏輯產(chǎn)品則由于受到筆記型電腦（NB）市場價格競爭壓力影響，并在市場CPU缺貨影響主機(jī)板相關(guān)輸出入控制器 (Motherboard related I/O)需求情形下，致使邏輯產(chǎn)品整體表現(xiàn)較前1季呈現(xiàn)下滑。 

      展望2007年，華邦電指出，第一季因DRAM跌價壓力，以及消費性產(chǎn)品進(jìn)入傳統(tǒng)淡季影響，預(yù)計整體表現(xiàn)將較上1季微幅下滑，但華邦認(rèn)為，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣成長仍可期待狀況下，對2007年發(fā)展抱持樂觀看法。