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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】晶圓代工廠紛投入 內(nèi)存授權(quán)市場交易加溫 晶圓代工廠紛紛投入內(nèi)存產(chǎn)品代工,也使得內(nèi)存相關(guān)IP授權(quán)業(yè)者交易日趨活絡(luò)。除了中芯國際近期進一步取得Saifun 8Gb高容量閃存(Flash)授權(quán),與中芯友好的IC

【導(dǎo)讀】晶圓代工廠紛投入 內(nèi)存授權(quán)市場交易加溫  
    晶圓代工廠紛紛投入內(nèi)存產(chǎn)品代工,也使得內(nèi)存相關(guān)IP授權(quán)業(yè)者交易日趨活絡(luò)。除了中芯國際近期進一步取得Saifun 8Gb高容量閃存(Flash)授權(quán),與中芯友好的IC設(shè)計服務(wù)業(yè)者芯原也宣布取得正一科技(MoSys)知名的1T SRAM授權(quán),而MoSys近期更開發(fā)完成首款1T Flash已授權(quán)給富士通(Fujitsu),內(nèi)存授權(quán)市場顯得交易特別熱絡(luò)。  

    芯原宣布和單芯片(SoC)嵌入式內(nèi)存解決方案供貨商MoSys展開合作,雙方正在合作未來1T SRAM技術(shù)合作,未來芯原客戶將可采用MoSys 1TSRAM專利技術(shù)的,及與眾多晶圓代工廠90奈米制程合作,以達到一次購足及整合服務(wù)目的。對于芯原提供整合性平臺,可說再添一利器。  

    MoSys日前也宣布,其與富士通之間的1T SRAM授權(quán)更以延伸至65奈米先進制程。1T SRAM是MoSys最知名內(nèi)存授權(quán)產(chǎn)品,目 

    前MoSys也已開發(fā)完成1T Flash,且已與某半導(dǎo)體業(yè)者簽約。  

    MoSys是由創(chuàng)辦人許夫杰于1991年在美國創(chuàng)辦,許曾任該公司的董事長暨總經(jīng)理,2004年底,許夫杰自該項職務(wù)退休,2006年初加入臺積電擔(dān)任設(shè)計暨技術(shù)平臺副總。  

    除了上述業(yè)者之外,目前全球排名前10大IP授權(quán)業(yè)者中,2家主要從事內(nèi)存授權(quán)的分別是Rambus及Saifun。Rambus受惠于高傳輸接口內(nèi)存需求持續(xù)成長,加上全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)下半年表現(xiàn)搶眼,Rambus第三季營收較2005年同期成長將近28%;盡管許多內(nèi)存授權(quán)業(yè)者著重產(chǎn)品不盡相同,但在內(nèi)存市場持續(xù)成長,及SoC嵌入式內(nèi)存需求增加下,IP授權(quán)業(yè)者則對交易轉(zhuǎn)趨熱絡(luò)正面以對。 

 
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