【導讀】聯電在先進材料與組件研發(fā)方面獲得重要的成果       聯電在2006超大規(guī)模集成電路技術會議中，針對先進材料與組件研發(fā)提案報告其重要研究成果。     這些重要發(fā)現主要針對半導體組件微小化，其中包括在先進鎳-全金屬硅化閘極技術上簡易有效地強化MOSFET效能的方法、采用新鍺化硅材料在p-MOSFET上獲得較高的遷移率通道與較佳的效能、以及透過在嵌入式源極／閘極上使用應變鍺化硅，創(chuàng)造淺層接面創(chuàng)新方法。       聯電在會議中提出數項重要發(fā)現，大多集中在如何跨越晶體管效能微小化的技術鴻溝，包括在電閘極、通道材料以及淺層接面微小化的方法上。       在電閘極方面，在鎳-全金屬硅化閘極上使用獨一無二的應變工程技術來達到強化效能的成果，在面對未來需要用到特殊材質與復雜制程挑戰(zhàn)上，全金屬硅化閘極被認為是目前多晶硅電閘極與未來雙功函數金屬閘極間最令人期待的轉折點，只要在一般全金屬硅化制程中將兩個步驟的順序倒轉，獨特的包覆全金屬硅化閘極架構就能在NMOS中提高10%的驅動電流，此閘極架構中與其它應力層之間的互動與效能數據也在這次會議中提出。       聯電在會議中同時也提到使用替代材料的話題，舉例來說，鍺化硅或鍺可以取代MOSFET通道中的硅，以協(xié)助CMOS晶體管微小化，聯電的工程師同時也展示了隨著次世代高效能p-MOSFET問世，經仔細運算在晶圓平面及特殊方向上布置上令人期待的鍺化硅通道，可使制成之p-MOSFET產生高達48%的驅動電流增益，這是前所未有的成就。除此之外，當(110)鍺化硅通道p-MOSFET進一步與壓縮應力覆蓋層結合，(110)鍺化硅信道p-MOSFET則能將驅動電流改善提升至80%，充分展示了這項組件架構令人期待的優(yōu)勢。       在接面微小化方面，這次會議中也展示了一個獨特的超淺接面組件結構，配有擴散阻障層及含硼的鍺化硅(SiGe:B)應變層之p-MOSFET，即使在過熱處理之下，嵌入式擴散阻障層仍能有效地壓抑硼過度擴散，因此產生了絕佳的短通道控制效果，此項方法能幫助超淺接面成型并且可以減少30%的接面深度，另外能同時在僅使用傳統(tǒng)活化制程的情況下，維持較低的源極／汲極延伸區(qū)電阻，此項組件架構可與其它遷移率強化技術兼容使用，此項研究中也特別強調效能結合數據的呈現。