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[導(dǎo)讀] 說到近年來移動科技領(lǐng)域的發(fā)展,64位和八核已經(jīng)吸引了不少人的眼球。但是今年,采用了新一代工藝制程的SoC和LPDDR4內(nèi)存,其重要性亦不容小覷。LPDDR RAM是“低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存”的縮寫,與桌面平臺

 說到近年來移動科技領(lǐng)域的發(fā)展,64位和八核已經(jīng)吸引了不少人的眼球。但是今年,采用了新一代工藝制程的SoC和LPDDR4內(nèi)存,其重要性亦不容小覷。LPDDR RAM是“低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存”的縮寫,與桌面平臺的DDR4內(nèi)存相比,面向移動平臺的LPDDR4,其能夠在帶來等效的性能(速度)的同時,兼顧更少的能源消耗。

 

 

DDR4與LPDDR4的另一個主要區(qū)別,就是后者的總線位寬要更小一些(當然這也是出于功耗方面的妥協(xié))。那么從LPDDR3到LPDDR4,規(guī)格和技術(shù)的進步又體現(xiàn)在哪里呢?

 

 

與上一代產(chǎn)品相比,LPDDR4的規(guī)范旨在帶來高達3200MB/s的雙倍數(shù)據(jù)速率,同時減少對移動設(shè)備的能源消耗。此外,LPDDR4支持16bit雙通道(總位寬32bit),而LPDDR3則只有單通道。

核心功耗的減少,得益于縮短了的數(shù)據(jù)路徑,同時這也讓運行速度得到了進一步提升。LPDDR4每核心的帶寬為17GB/s,但是也可以根據(jù)需要來做成更快的雙通道。

 

 

說到節(jié)能,最簡單的就是降低運行電壓了。LPDDR3的電壓為1.2V,但是LPDDR4已經(jīng)進一步降低到了1.1V。此外,新標準還改進了低頻節(jié)能模式,因此設(shè)備可以在執(zhí)行簡單的后臺任務(wù)的同時,將始終速度降下來,以便進一步節(jié)能電能。

作為業(yè)務(wù)的兩大巨頭,鎂光和三星都于年內(nèi)將其LPDDR4產(chǎn)品推向市場。在移動平臺的功率限制之內(nèi),LPDDR4能夠帶來更快的啟動和加載速度。

 

 

以鎂光的技術(shù)為例,該公司的LPDDR4內(nèi)存可以運行于2133MHz的頻率,在2 x 16bit的雙通道配置下,數(shù)據(jù)傳輸速率可達到4266 MT/s(遠超x64下32GB/s標準峰值)。

目前三星出品的LPDDR4內(nèi)存的頻率在1600MHz,剛好可以達到3200 MT/s,x64下的理論帶寬峰值為25.6GB/s。

“低延遲”(low-latency)內(nèi)存產(chǎn)品的另一個重要參數(shù),在游戲或傳送大量數(shù)據(jù)的時候(比如4K或慢動作視頻),這一點更是尤為重要。

 

 

LPDDR4還在容量上取得了飛躍,鎂光早已向移動平臺提供包括8Gb和16Gb的LPDDR4內(nèi)存,換算成GB的話就是除以8,即1GB和2GB。

三星公司不久前也宣布了將以20nm工藝生產(chǎn)8Gb(即1GB) LPDDR4內(nèi)存模組的消息,而且未來還會推出24Gb和32Gb(即3GB和4GB)的版本。

對于廠商來說,通過更少的模組來實現(xiàn)更高的容量,其成本優(yōu)勢也會更加顯著。

 

 

應(yīng)用方面,除了帶動2K和4K級別的顯示設(shè)備,LPDDR4還能夠推動慢動作視頻、人臉識別、3D攝像頭等新媒體功能。

具體說來就是,用戶將能夠以更高的fps和分辨率來拍攝慢動作視頻,相信這也會帶動廠商普及2000萬像素級別的攝像頭。

 

 

在當前已經(jīng)上市的手機產(chǎn)品中,三星已經(jīng)在自家的Galaxy S6和S6 Edge上部署了LPDDR4內(nèi)存(以及Exynos 7420 SoC),而LG G Flex 2等機型也會提供LPDDR4 + 高通驍龍810 SoC的組合。

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