IP授權(quán)廠商ARM與臺(tái)積電共同宣布一項(xiàng)為期多年的協(xié)議，針對(duì)7納米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作，包括支援未來低功耗、高效能運(yùn)算系統(tǒng)單芯片(SoC)的設(shè)計(jì)解決方案。這項(xiàng)新協(xié)議將擴(kuò)大雙方長(zhǎng)期的合作夥伴關(guān)系，推動(dòng)先進(jìn)制程技術(shù)向前邁進(jìn)，超越行動(dòng)產(chǎn)品的應(yīng)用并進(jìn)入下一世代網(wǎng)路與資料中心的領(lǐng)域。另外，這項(xiàng)協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan基礎(chǔ)實(shí)體IP之16納米與10納米 FinFET 的合作。

ARM 執(zhí)行副總裁暨產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理 Pete Hutton 表示，既有以ARM為基礎(chǔ)的平臺(tái)已展現(xiàn)提升高達(dá)10倍運(yùn)算密度的能力，支援特定資料中心的工作負(fù)載，未來ARM特別為資料中心與網(wǎng)路架構(gòu)量身設(shè)計(jì)，并針對(duì)臺(tái)積公司 7納米 FinFET 進(jìn)行優(yōu)化的技術(shù)，將協(xié)助雙方客戶在各種不同效能產(chǎn)品上皆能使用業(yè)界最低功耗的架構(gòu)。

臺(tái)積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清指出，臺(tái)積電持續(xù)投入先進(jìn)制程技術(shù)的研發(fā)以支援客戶事業(yè)的成功，藉由7納米 FinFET制程，該公司的制程與設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境解決方案已經(jīng)從行動(dòng)擴(kuò)大到高效能運(yùn)算的應(yīng)用?？蛻粼O(shè)計(jì)的下一世代高效能運(yùn)算系統(tǒng)單芯片將受惠于臺(tái)積電的 7納米 FinFET制程。

侯永清強(qiáng)調(diào)，相較于10納米 FinFET 制程，7納米FinFET制程將在相同功耗下提供更多的效能優(yōu)勢(shì)，或在相同效能下提供更低的功耗。ARM 與臺(tái)積電共同優(yōu)化的解決方案將能夠協(xié)助客戶推出具有顛覆性創(chuàng)新且市場(chǎng)首創(chuàng)的產(chǎn)品。

據(jù)悉，此項(xiàng)最新協(xié)議奠基于 ARM 與臺(tái)積電先前在16納米FinFET與10納米FinFET 制程技術(shù)成功的合作基礎(chǔ)之上。雙方長(zhǎng)期保持合作，以提供先進(jìn)制程與矽智財(cái)來協(xié)助客戶加速產(chǎn)品開發(fā)周期。近期成果包括客戶及早使用Artisan實(shí)體IP及采用16納米FinFET 與10納米FinFET 制程完成的 ARM Cortex-A72 處理器設(shè)計(jì)定案。