臺(tái)積電10納米以下先進(jìn)制程投資計(jì)劃

雖然摩爾定律(Moore’s Law)能否持續(xù)推進(jìn)，產(chǎn)業(yè)界眾說紛云，但晶圓代工龍頭臺(tái)積電靠著技術(shù)上的創(chuàng)新，可望讓先進(jìn)制程依循摩爾定律，持續(xù)推進(jìn)到5納米及3納米世代。為此，臺(tái)積電將以南科園區(qū)為據(jù)點(diǎn)，投入5，000億元資金，建立支援5納米及3納米的龐大產(chǎn)能。

科技部長楊弘敦近日搶先發(fā)布臺(tái)積電將投入5，000億元，建立5納米及3納米龐大產(chǎn)能的投資規(guī)畫。臺(tái)積電對(duì)此表示，與科技部有針對(duì)后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)行溝通，包括討論到建地及水電供應(yīng)等問題，但5納米及3納米仍在規(guī)劃中，尚無法說明及評(píng)論相關(guān)細(xì)節(jié)。

半導(dǎo)體先進(jìn)制程競爭激烈，臺(tái)積電目前面臨的不僅是韓國三星電子的龐大搶單壓力，臺(tái)積電大客戶之一的處理器大廠英特爾，也持續(xù)透露對(duì)晶圓代工市場抱持興趣的看法。因此，臺(tái)積電要在晶圓代工市場維持龍頭大廠地位，除了要擁有龐大的產(chǎn)能因應(yīng)不同客戶需求外，在先進(jìn)制程的推進(jìn)上亦要領(lǐng)先競爭同業(yè)才行。

臺(tái)積電第4季開始量產(chǎn)新一代10納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程，首座支援10納米產(chǎn)能的中科12寸廠Fab 15第5期工程，已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，而第6期工程將在明年上半年進(jìn)入量產(chǎn)，第7期工程則會(huì)在明年下半年放量投片。

臺(tái)積電將10納米及7納米視為同一制程世代，有9成以上的設(shè)備可以共通互用，所以，F(xiàn)ab 15的第5期至第7期等3座晶圓廠，都可支援10納米及7納米制程。臺(tái)積電現(xiàn)已替聯(lián)發(fā)科、蘋果、海思等大客戶代工10納米手機(jī)芯片或應(yīng)用處理器;至于7納米的量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)將落在2017年底、2018年初，包括可程式邏輯閘陣列(FPGA)大廠賽靈思(Xilinx)、繪圖芯片大廠輝達(dá)(NVIDIA)等，已決定采用臺(tái)積電7納米生產(chǎn)新一代芯片。

臺(tái)積電預(yù)期7納米量產(chǎn)的2年后，也就是2020年就可順利進(jìn)入5納米世代，并已開始進(jìn)行5納米制程的研發(fā)。除了在材料上可能有所改變，F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)也可能變更，5納米將是臺(tái)積電首度將極紫外光(EUV)微影技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)的主要制程節(jié)點(diǎn)。因此，臺(tái)積電將在南科園區(qū)Fab 14第8期至第10期，規(guī)劃建立5納米制程龐大產(chǎn)能，全部完工后月產(chǎn)能可望上看10萬片規(guī)模。

在5納米之后的3納米，若依摩爾定律進(jìn)行，將在2022年后進(jìn)入量產(chǎn)階段，而臺(tái)積電將在南科持續(xù)擴(kuò)建Fab 15新廠第11期及第12期工程，業(yè)界認(rèn)為，臺(tái)積電3納米應(yīng)該會(huì)以EUV微影技術(shù)為主力的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，不僅成本可望大幅降低，還能提供更好的功耗。