三星2020年推16nm DRAM內(nèi)存,15nm恐成DRAM終點
三星不僅是智能手機市場的老大,更重要的是三星還掌握了產(chǎn)業(yè)鏈至關(guān)重要的DRAM內(nèi)存、NAND閃存及OLED屏幕,這三大部件上三星遙遙領(lǐng)先其他對手,手機OLED面板上更是占據(jù)95%以上的份額。在DRAM內(nèi)存市場上,三星不僅產(chǎn)能、份額最高,技術(shù)也是最領(lǐng)先的,去年率先量產(chǎn)18nm工藝,今年將完成17nm DRAM內(nèi)存研發(fā),2018年量產(chǎn),2020年則會推出16nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片。
在18nm工藝之后三星還將開發(fā)17nm、16nm DRAM芯片
與CPU等芯片相比,DRAM內(nèi)存在20nm節(jié)點之后也放緩了速度,線寬減少越來越困難,40nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片線寬減少約為5-10nm,20nm工藝的線寬減少就只有2-3nm了,更先進的工藝減少線寬就更困難了。業(yè)界預(yù)計15nm節(jié)點將是(傳統(tǒng))DRAM內(nèi)存的終點,未來DRAM的技術(shù)門檻會越來越高。
三星在DRAM技術(shù)上依然比其他廠商更先進,2016年3月底三星就宣布量產(chǎn)18nm工藝DRAM內(nèi)存芯片,后面還會繼續(xù)發(fā)展新一代工藝。來自韓國ETNews的消息稱,三星18nm工藝開發(fā)代號為Pascal(帕斯卡),現(xiàn)在則在開發(fā)代號為Armstrong(阿姆斯特朗)的17nm工藝,預(yù)計今年底正式完成研發(fā),2018年正式量產(chǎn)17nm工藝。
未來兩年三星還會研發(fā)代號Kevlar(凱夫拉)的16nm工藝,預(yù)計在2020年早些時候大規(guī)模量產(chǎn)。
三星現(xiàn)在的產(chǎn)能主力還是20nm工藝(代號Boltzmann,玻爾茲曼),18nm產(chǎn)能正在穩(wěn)步提升,預(yù)計明年18nm工藝就會占據(jù)主要份額。
“在1x(18nm)、1y(17nm)及1z(16nm)工藝之后,DRAM內(nèi)存制造工藝還會減小到1a、1b、1c、1d等”,三星電子DS設(shè)備解決方案部門的經(jīng)理Jung Eun-seung稱三星需要開發(fā)與現(xiàn)有材料不同的、新的半導(dǎo)體材料,還要提高制程工藝的穩(wěn)定性以便能大規(guī)模量產(chǎn)。