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[導(dǎo)讀]RF SOI(射頻絕緣體上硅)的發(fā)明者及先進射頻解決方案的先驅(qū)派更(Peregrine)半導(dǎo)體公司推出UltraCMOS® PE42562、PE42582和PE42512高擲數(shù)射頻開關(guān)。

RF SOI(射頻絕緣體上硅)的發(fā)明者及先進射頻解決方案的先驅(qū)派更(Peregrine)半導(dǎo)體公司推出UltraCMOS® PE42562、PE42582和PE42512高擲數(shù)射頻開關(guān)。經(jīng)過優(yōu)化的SP6T、SP8T和SP12T吸收式開關(guān)旨在滿足下一代測試和測量儀器的需求,寬頻范圍可達9kHz~8GHz,并配有一個用于清除雜散的外部Vss引腳。派更半導(dǎo)體推出的全新高擲數(shù)射頻開關(guān)具有低插入損耗、高隔離度、一流線性度,及快速開關(guān)時間與安定時間等特征,擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的高擲數(shù)配置性能規(guī)格與靈活性。UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512是濾波器組切換及信號發(fā)射/接收(T/R)路徑切換等測試與測量應(yīng)用程序的理想選擇。

派更半導(dǎo)體公司全球銷售副總裁Colin Hunt表示:“派更半導(dǎo)體推出的全新SP6T、SP8T和SP12T開關(guān)實現(xiàn)了無可比擬的高擲數(shù)配置靈活性與高性能?;谳^寬的頻段范圍及外接VSS腳,我們的團隊對PE42562、PE42582和PE42512進行了優(yōu)化,使其能夠滿足測試與測量市場的獨特需求。測試與測量工程師們可借助這些高擲數(shù)開關(guān),使自己的設(shè)計兼具高性能、可靠性與靈活性。”

這些高擲數(shù)開關(guān)產(chǎn)品具有一種先進的功能,即鏡像端口選擇功能,可通過單一控制總線實現(xiàn)射頻路徑同步選擇。在雙開關(guān)配置中,可使用兩只高擲數(shù)開關(guān),而無需使用多只單刀雙擲(SPDT)開關(guān)。只需將一只開關(guān)的邏輯選擇(LS)腳接地,第二只開關(guān)的LS腳“留空”,即可激活鏡像端口選擇功能。這一簡化布局(一個邏輯控制信號同時發(fā)送至兩只開關(guān))可大大節(jié)省電路板空間和布局時間。了解鏡像端口選擇功能的更多信息,請登陸派更半導(dǎo)體公司網(wǎng)站下載“應(yīng)用說明68:雙開關(guān)配置中的同步路徑選擇”(Application Note 68: Simultaneous Path Selection in a Dual-switch Configuration)。

產(chǎn)品特性、封裝、價格及供貨

UltraCMOS PE42562(SP6T)、PE42582(SP8T)及PE42512(SP12T)開關(guān)適用于測試與測量應(yīng)用程序,可覆蓋9 kHz至8 GHz的頻段范圍。這些吸收性開關(guān)配有一個用于清除雜散的外部Vss引腳。這些高度靈活的開關(guān)在整個頻段范圍內(nèi)都具有極高的端口間隔離度及較低的插入損耗。每只高擲數(shù)開關(guān)的高線性度可達60 dBm IIP3,連續(xù)波(CW)功率處理能力高達33 dBm,快速開關(guān)時間僅為200納秒以內(nèi),并可實現(xiàn)快速的安定時間。

PE42562和PE42582均采用24引腳4x4 mm QFN封裝,PE42512則采用32引腳5x5 mm QFN封裝。樣片與評估工具現(xiàn)已上市,量產(chǎn)零件將于3月底上市。訂購1萬片的價格為每只PE42562(SP6T)開關(guān)4.99美元,每只PE42582(SP8T)開關(guān)5.87美元,每只PE42512(SP12T)開關(guān)10.28美元。

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