據(jù)中國(guó)國(guó)防科技信息網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)透明度市場(chǎng)研究公司近日發(fā)布研究報(bào)告稱，2012年氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)產(chǎn)值為3.7982億美元，并將在2019年達(dá)到22.0373億美元。其中，軍事國(guó)防和宇航部分占據(jù)氮化鎵半導(dǎo)體市場(chǎng)的最高份額。

報(bào)告稱，2013～2019年的復(fù)合年增長(zhǎng)率也將達(dá)到24.6%。美國(guó)在全球氮化鎵器件市場(chǎng)中占據(jù)最大份額，2012年達(dá)到32.1%，其次分別是歐洲、亞洲和世界其他地區(qū)。而亞洲由于電子產(chǎn)業(yè)的快速增長(zhǎng)，將是氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)增長(zhǎng)最快的地方，2013～2019年的復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)到27.7%。

由于對(duì)高速、高溫和大功率半導(dǎo)體器件需求的不斷增長(zhǎng)，使得半導(dǎo)體業(yè)重新考慮半導(dǎo)體所用設(shè)計(jì)和材料。隨著多種更快、更小計(jì)算器件的不斷涌現(xiàn)，硅材料已難以維持摩爾定律。由于氮化鎵材料所具有的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，如噪聲系數(shù)優(yōu)良、最大電流高、擊穿電壓高、振蕩頻率高等，為多種應(yīng)用提供了獨(dú)特的選擇，如軍事、宇航和國(guó)防、汽車領(lǐng)域，以及工業(yè)、太陽(yáng)能、發(fā)電和風(fēng)力等高功率領(lǐng)域。氮化鎵具有比硅更高的能效，因此所需熱沉數(shù)量少于硅。應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展和軍事需求的增加是驅(qū)動(dòng)氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要力量。需求量的增加主要是由于氮化鎵器件所能帶來的在器件重量和尺寸方面的顯著改進(jìn)。另外，氮化鎵器件擊穿電壓的提升有望推動(dòng)氮化鎵在電動(dòng)車輛中的使用量。

2012年，由于氮化鎵光電半導(dǎo)體在軍事、宇航、國(guó)防和消費(fèi)電子的使用，使得光電半導(dǎo)體成為全球氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)的主要產(chǎn)品類型，并占據(jù)市場(chǎng)的96.6%。其中功率半導(dǎo)體器件將隨著工業(yè)應(yīng)用對(duì)大功率器件需求的增長(zhǎng)成為未來增長(zhǎng)速度最快的器件。

在各種應(yīng)用中，軍事，國(guó)防和宇航部分占據(jù)氮化鎵半導(dǎo)體市場(chǎng)的最高份額，2012年達(dá)到8168萬美元。消費(fèi)類電子是第二大應(yīng)用領(lǐng)域，之后是信息通信技術(shù)（ICT）和汽車應(yīng)用。隨著4G網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，對(duì)高功率晶體管和基站的需求預(yù)計(jì)將增加。因此，ICT行業(yè)對(duì)氮化鎵功率半導(dǎo)體的需求將以最快的速率增長(zhǎng)。

全球光子集成電路市場(chǎng)呈現(xiàn)分散和競(jìng)爭(zhēng)激烈的態(tài)勢(shì)。主要的行業(yè)參與者包括日本的富士通（Fujitsu）公司、日亞化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社、加拿大的氮化鎵系統(tǒng)（GaNSystem）公司、美國(guó)的飛思卡爾（Freescale）半導(dǎo)體公司、國(guó)際整流器（IR）公司、科瑞（Cree）公司、射頻微系統(tǒng)公司等。