搶食亞洲代工商機(jī) 晶圓廠模擬/先進(jìn)制程攻勢(shì)齊發(fā)
[導(dǎo)讀]晶圓廠正積極拓展亞洲市場(chǎng)布局?？春脕喼迣?duì)行動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置晶片的強(qiáng)勁需求，可望帶動(dòng)先進(jìn)奈米制程及類(lèi)比混合訊號(hào)制程商機(jī)，主要晶圓廠正紛紛投資擴(kuò)產(chǎn)。其中，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近期更攜手三星(Samsung
晶圓廠正積極拓展亞洲市場(chǎng)布局?？春脕喼迣?duì)行動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置晶片的強(qiáng)勁需求，可望帶動(dòng)先進(jìn)奈米制程及類(lèi)比混合訊號(hào)制程商機(jī)，主要晶圓廠正紛紛投資擴(kuò)產(chǎn)。其中，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近期更攜手三星(Samsung)，推進(jìn)14奈米鰭式電晶體(FinFET)商用腳步，并加速推動(dòng)新加坡8寸廠轉(zhuǎn)型計(jì)劃，期增加12寸晶圓產(chǎn)能，以提高類(lèi)比混合訊號(hào)等特殊制程的成本競(jìng)爭(zhēng)力。
格羅方德新加坡廠區(qū)資深副總裁暨總經(jīng)理洪啟財(cái)認(rèn)為，中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)者在國(guó)家政策扶植下快速崛起，未來(lái)格羅方德將持續(xù)在該市場(chǎng)投注技術(shù)資源，爭(zhēng)取更多新秀晶片商青睞。
格羅方德新加坡廠區(qū)資深副總裁暨總經(jīng)理洪啟財(cái)表示，行動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)裝置開(kāi)發(fā)商致力追求高整合、低功耗和小尺寸設(shè)計(jì)，不僅刺激晶圓代工產(chǎn)業(yè)奮力邁進(jìn)28奈米以下先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，亦帶動(dòng)嵌入式快閃記憶體(FlashMemory)、電源管理晶片(PMIC)、射頻天線(RFAntenna)、顯示器驅(qū)動(dòng)和車(chē)用晶片等所需的40～180奈米類(lèi)比混合訊號(hào)特殊制程需求高漲，因而激勵(lì)晶圓廠加緊擴(kuò)充產(chǎn)能。
以臺(tái)積電為例，近年即不斷拉升資本支出，強(qiáng)攻28/20奈米高介電系數(shù)金屬閘極(HKMG)、16奈米FinFET與3DIC等先進(jìn)邏輯制程，以滿足處理器廠開(kāi)發(fā)更高整合度系統(tǒng)單晶片(SoC)的需求。同時(shí)，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀也提到，物聯(lián)網(wǎng)火速發(fā)展，可望掀動(dòng)下一波半導(dǎo)體業(yè)的巨幅成長(zhǎng)，而相關(guān)設(shè)備所需的感測(cè)器、PMIC和射頻晶片等皆須運(yùn)用類(lèi)比混合訊號(hào)特殊制程，因此該公司亦積極部署新一代高壓(HV)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和各種RF材料制程產(chǎn)線，以搶占市場(chǎng)先機(jī)。
無(wú)獨(dú)有偶，格羅方德亦分頭擴(kuò)張先進(jìn)邏輯、類(lèi)比混合訊號(hào)特殊制程產(chǎn)線。洪啟財(cái)透露，該公司位于德國(guó)的Fab1廠，目前已達(dá)到每月五到八萬(wàn)片28奈米晶圓出貨；而近期與三星展開(kāi)合作后，旗下美國(guó)紐約Fab8廠，更可望在今年底到明年初開(kāi)出每月6萬(wàn)片的20和14奈米產(chǎn)能，給予一線處理器大廠強(qiáng)力支援。
至于類(lèi)比混合訊號(hào)制程方面，格羅方德則利用2013年購(gòu)入茂德的12寸廠設(shè)備，促進(jìn)其新加坡Fab6從8寸轉(zhuǎn)型成12寸廠，以提升技術(shù)和成本競(jìng)爭(zhēng)力。洪啟財(cái)強(qiáng)調(diào)，在行動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品出貨急速成長(zhǎng)的帶動(dòng)下，晶圓廠近期在PMIC、RF晶片和驅(qū)動(dòng)器的訂單可說(shuō)是應(yīng)接不暇，幾乎各家的8寸廠皆處于滿載狀態(tài)；著眼于此，格羅方德遂率先啟動(dòng)8寸廠轉(zhuǎn)型計(jì)劃，期利用切割效率較佳，且具長(zhǎng)期投資效益的12寸晶圓，快速?zèng)_高40～90奈米特殊制程產(chǎn)能。
據(jù)悉，格羅方德Fab6廠可望于今年底完成全線轉(zhuǎn)換，并將挹注每月2萬(wàn)片12寸晶圓產(chǎn)能，促進(jìn)其8寸和12寸晶圓出貨占比，從六成/四成翻轉(zhuǎn)為四成/六成，以強(qiáng)化各種類(lèi)比混合訊號(hào)IC的接單能力?，F(xiàn)階段，該公司在亞洲IC設(shè)計(jì)市場(chǎng)也取得不錯(cuò)成績(jī)，分別與MagnaChip和東芝(Toshiba)合作開(kāi)發(fā)55奈米高壓制程，以及40和65奈米低耗電FFSA(FitFastStructuredArray)方案。
洪啟財(cái)分析，未來(lái)晶圓廠追求「LeadingEdge」技術(shù)應(yīng)分為兩個(gè)層面，一是針對(duì)SoC設(shè)計(jì)，加快奈米制程演進(jìn)腳步，以大幅縮減晶片線寬；另外則是因應(yīng)電源或RF等類(lèi)比解決方案，以最合適的制程節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)特殊材料和生產(chǎn)技術(shù)。不僅如此，隨著IC設(shè)計(jì)商降低制造成本的需求日益殷切，晶圓廠全面轉(zhuǎn)向12寸晶圓生產(chǎn)將是大勢(shì)所趨；預(yù)期該公司新的12寸廠在年底加入生產(chǎn)行列后，將大幅增進(jìn)在亞洲IC設(shè)計(jì)市場(chǎng)的影響力。
格羅方德新加坡廠區(qū)資深副總裁暨總經(jīng)理洪啟財(cái)認(rèn)為，中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)者在國(guó)家政策扶植下快速崛起，未來(lái)格羅方德將持續(xù)在該市場(chǎng)投注技術(shù)資源，爭(zhēng)取更多新秀晶片商青睞。
格羅方德新加坡廠區(qū)資深副總裁暨總經(jīng)理洪啟財(cái)表示，行動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)裝置開(kāi)發(fā)商致力追求高整合、低功耗和小尺寸設(shè)計(jì)，不僅刺激晶圓代工產(chǎn)業(yè)奮力邁進(jìn)28奈米以下先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，亦帶動(dòng)嵌入式快閃記憶體(FlashMemory)、電源管理晶片(PMIC)、射頻天線(RFAntenna)、顯示器驅(qū)動(dòng)和車(chē)用晶片等所需的40～180奈米類(lèi)比混合訊號(hào)特殊制程需求高漲，因而激勵(lì)晶圓廠加緊擴(kuò)充產(chǎn)能。
以臺(tái)積電為例，近年即不斷拉升資本支出，強(qiáng)攻28/20奈米高介電系數(shù)金屬閘極(HKMG)、16奈米FinFET與3DIC等先進(jìn)邏輯制程，以滿足處理器廠開(kāi)發(fā)更高整合度系統(tǒng)單晶片(SoC)的需求。同時(shí)，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀也提到，物聯(lián)網(wǎng)火速發(fā)展，可望掀動(dòng)下一波半導(dǎo)體業(yè)的巨幅成長(zhǎng)，而相關(guān)設(shè)備所需的感測(cè)器、PMIC和射頻晶片等皆須運(yùn)用類(lèi)比混合訊號(hào)特殊制程，因此該公司亦積極部署新一代高壓(HV)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和各種RF材料制程產(chǎn)線，以搶占市場(chǎng)先機(jī)。
無(wú)獨(dú)有偶，格羅方德亦分頭擴(kuò)張先進(jìn)邏輯、類(lèi)比混合訊號(hào)特殊制程產(chǎn)線。洪啟財(cái)透露，該公司位于德國(guó)的Fab1廠，目前已達(dá)到每月五到八萬(wàn)片28奈米晶圓出貨；而近期與三星展開(kāi)合作后，旗下美國(guó)紐約Fab8廠，更可望在今年底到明年初開(kāi)出每月6萬(wàn)片的20和14奈米產(chǎn)能，給予一線處理器大廠強(qiáng)力支援。
至于類(lèi)比混合訊號(hào)制程方面，格羅方德則利用2013年購(gòu)入茂德的12寸廠設(shè)備，促進(jìn)其新加坡Fab6從8寸轉(zhuǎn)型成12寸廠，以提升技術(shù)和成本競(jìng)爭(zhēng)力。洪啟財(cái)強(qiáng)調(diào)，在行動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品出貨急速成長(zhǎng)的帶動(dòng)下，晶圓廠近期在PMIC、RF晶片和驅(qū)動(dòng)器的訂單可說(shuō)是應(yīng)接不暇，幾乎各家的8寸廠皆處于滿載狀態(tài)；著眼于此，格羅方德遂率先啟動(dòng)8寸廠轉(zhuǎn)型計(jì)劃，期利用切割效率較佳，且具長(zhǎng)期投資效益的12寸晶圓，快速?zèng)_高40～90奈米特殊制程產(chǎn)能。
據(jù)悉，格羅方德Fab6廠可望于今年底完成全線轉(zhuǎn)換，并將挹注每月2萬(wàn)片12寸晶圓產(chǎn)能，促進(jìn)其8寸和12寸晶圓出貨占比，從六成/四成翻轉(zhuǎn)為四成/六成，以強(qiáng)化各種類(lèi)比混合訊號(hào)IC的接單能力?，F(xiàn)階段，該公司在亞洲IC設(shè)計(jì)市場(chǎng)也取得不錯(cuò)成績(jī)，分別與MagnaChip和東芝(Toshiba)合作開(kāi)發(fā)55奈米高壓制程，以及40和65奈米低耗電FFSA(FitFastStructuredArray)方案。
洪啟財(cái)分析，未來(lái)晶圓廠追求「LeadingEdge」技術(shù)應(yīng)分為兩個(gè)層面，一是針對(duì)SoC設(shè)計(jì)，加快奈米制程演進(jìn)腳步，以大幅縮減晶片線寬；另外則是因應(yīng)電源或RF等類(lèi)比解決方案，以最合適的制程節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)特殊材料和生產(chǎn)技術(shù)。不僅如此，隨著IC設(shè)計(jì)商降低制造成本的需求日益殷切，晶圓廠全面轉(zhuǎn)向12寸晶圓生產(chǎn)將是大勢(shì)所趨；預(yù)期該公司新的12寸廠在年底加入生產(chǎn)行列后，將大幅增進(jìn)在亞洲IC設(shè)計(jì)市場(chǎng)的影響力。
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