Crolles2聯(lián)盟成員飛思卡爾半導(dǎo)體、飛利浦和意法半導(dǎo)體將其半導(dǎo)體合作范圍由現(xiàn)有的亞100nm CMOS工藝技術(shù)的開發(fā)擴展至晶圓測試和封裝研發(fā)領(lǐng)域。 聯(lián)盟成員代表飛利浦半導(dǎo)體高級副總裁和首席技術(shù)官René Penning de Vries、飛思卡爾半導(dǎo)體首席技術(shù)官Claudine Simson和意法半導(dǎo)體公司前端技術(shù)和生產(chǎn)公司副總裁Laurent Bosson 在聯(lián)合聲明中表示：“飛思卡爾半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體和飛利浦所擁有的專業(yè)技術(shù)將幫助Crolles2聯(lián)盟打造業(yè)界領(lǐng)先的封裝和測試基地。根據(jù)此協(xié)議，三方將聯(lián)合開發(fā)未來支持汽車、消費、工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)和無線市場應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)?！痹搮f(xié)議反映了采用300mm生產(chǎn)的90nm、65nm及更小晶圓CMOS器件對晶圓測試和封裝的特殊需求，也將涵蓋所有晶圓的后制造工藝，如探針檢測、 研磨、切割、貼片、焊線、flip chip封裝、封裝建模技術(shù)及芯片焊盤堆棧設(shè)計的優(yōu)化。聯(lián)盟表示：“采用65nm工藝的新材料，如超低K質(zhì)，將極大地改變裝配和測試過程中硅片的性質(zhì)。這意味著必須改進現(xiàn)有設(shè)備和工藝，以保證高產(chǎn)出。”此次合作的擴展是建立在半導(dǎo)體行業(yè)最大規(guī)模的研發(fā)聯(lián)盟兩年來成功合作的基上的。在聯(lián)盟成員的共同努力下，聯(lián)盟已經(jīng)在90nm生產(chǎn)和65nm工藝開發(fā)方面取得了里程碑式的成績。聯(lián)盟成員將在法國格勒諾布爾建立一個新的研究實驗室，由大約20位來自這3家公司的科學(xué)家和技術(shù)人員組成。目前合作伙伴中已有超過1000名員工在格勒諾布爾附近的Crolles進行前端工藝開發(fā)。該實驗室將重點進行芯片焊盤堆棧設(shè)計、低應(yīng)力測試，以及激光切割和低應(yīng)力模塑材料之類的切割和組裝工藝的研究，還將探索用于下一代組裝和測試設(shè)備的技術(shù)要求和規(guī)范。Crolles2聯(lián)盟全新的組裝和測試研發(fā)團隊將與主要設(shè)備提供商緊密合作。該聯(lián)盟的3家成員都已經(jīng)利用聯(lián)盟在法國Crolles的90nm CMOS生產(chǎn)線生產(chǎn)和處理過300mm晶圓。聯(lián)盟在裝配和測試研發(fā)方面的進一步擴展，將幫助其成員在引進最先進的裝配和測試技術(shù)方面與ITRS的步調(diào)保持一致。最終將保證及時為客戶提供大量采用這些新工藝制造的器件。