Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝,為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸,極大地簡(jiǎn)化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計(jì)。
Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)指出:“ZXMHC 元件為SO8封裝,包含兩對(duì)互補(bǔ)N型和P型MOSFET,可取代四個(gè)分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個(gè)SO8 互補(bǔ)MOSFET 封裝。對(duì)于現(xiàn)有不同類型的電機(jī)或其它感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置來(lái)說(shuō),這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積,同時(shí)大幅降低整體存貨成本。”
ZXMHC3A01N8 和 ZXMHC3F381N8 兩款30V 半橋器件適用于12V直流風(fēng)扇和逆變器應(yīng)用,可為用戶提供低RDS(ON)性能選擇。業(yè)界首個(gè)60V額定的ZXMHC6A07N8 和100V額定的 ZXMHC10A07N8分別適用于24V 直流和 48V 直流電機(jī)控制電路。
傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開關(guān)信達(dá)生物制藥集團(tuán)抗血管生成藥物希冉擇(雷莫西尤單抗)獲得國(guó)家藥品監(jiān)督管理局的批準(zhǔn),用于既往接受過(guò)索拉非尼治療且甲胎蛋白(AFP)≥400 ng/mL的肝細(xì)胞癌(HCC)患者的治療。希冉擇?(雷莫西尤單抗)之前已在中國(guó)大陸...
關(guān)鍵字: HC北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日,國(guó)內(nèi)首批冷板式液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范順利通過(guò)項(xiàng)目評(píng)審和論證,在開放計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)工作委員會(huì)(OCTC)獲批立項(xiàng)。浪潮信息作為標(biāo)準(zhǔn)主要發(fā)起單位和撰寫單位,將牽頭圍繞冷板、連...
關(guān)鍵字: OCT 器件 數(shù)據(jù)中心 TC為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...
關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管