RDS(ON)低于1mOhm的30V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號(hào)為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1 mOhm 障礙的MOSFET器件，最大RDS(ON) 僅為0.99 mOhm，能夠減少傳導(dǎo)損耗，提高應(yīng)用的總體效率。例如，與一個(gè)使用2.0 mOhm MOSFET的典型應(yīng)用相比，這款30V MOSFET便能夠以一半的FET數(shù)目，提供相同的總體RDS(ON)。
FDMS7650 采用飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的 PowerTrench® MOSFET 技術(shù)，提供具突破性的RDS(ON) 。這項(xiàng)技術(shù)擁有出色的低 RDS(ON)、總體柵極電荷(QG) 和米勒電荷 (QGD) ，能最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而帶來更高的效率。
這款功率MOSFET器件是飛兆半導(dǎo)體眾多 MOSFET 器件之一，為功率設(shè)計(jì)提供了卓越的優(yōu)勢(shì)。這個(gè)系列的其它出色產(chǎn)品還有飛兆半導(dǎo)體的30V雙N溝道MOSFET器件 FDMC8200和FDMS9600，F(xiàn)DMC8200通常具有24 mOhm 的高側(cè)RDS(ON) ，以及9.5 mOhm的低側(cè)RDS(ON) ，有效提高了 DC-DC 應(yīng)用的效率。FDMS9600 則通過降低高側(cè) MOSFET 的開關(guān)損耗，以及低側(cè) MOSFET的傳導(dǎo)損耗，為同步降壓應(yīng)用提供最佳的功率級(jí)。
價(jià)格(訂購1,000個(gè)，每個(gè))： 0.95美元
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下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
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