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新型 650V 碳化硅肖特基二極管（Cree）

時(shí)間：2010-12-20 10:30:11

關(guān)鍵字：碳化硅肖特基二極管 CREE 數(shù)據(jù)中心

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[導(dǎo)讀]Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec™650V 結(jié)型肖特基勢(shì)壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS 二極管的阻斷電壓為 650V，能夠滿足近期數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)修改的要求。據(jù)行業(yè)咨詢專家估算，

Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec™650V 結(jié)型肖特基勢(shì)壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS 二極管的阻斷電壓為 650V，能夠滿足近期數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)修改的要求。據(jù)行業(yè)咨詢專家估算，這樣可以將能效提高多達(dá) 5% 。由于數(shù)據(jù)中心的耗電量幾乎占全球年耗電量的 10%，任何水平的能效提升都會(huì)有助于大幅降低總體能耗。

常規(guī)開(kāi)關(guān)電源一般輸入電壓范圍為 90V~264V，可以支持世界各地的各種交流輸入電源?，F(xiàn)有的數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)一般采用本地供電單位提供的三相/480V電源。三相/480V電源經(jīng)電力變壓器降壓為三相/208V 電源，并經(jīng)進(jìn)一步處理后作為服務(wù)器電源的輸入電源。由于變壓器的損耗，這種做法會(huì)降低總效率。

近期數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)要求取消 480V 到 208V 的降壓過(guò)程，以提高數(shù)據(jù)中心的總效率?，F(xiàn)在服務(wù)器電源有望直接從三相/480V 相電壓獲得90V~305V更寬泛的通用線電壓（277V+10% 的安全范圍），而不再?gòu)娜?208V相電壓獲得 120V 交流電壓。這種架構(gòu)無(wú)需使用降壓變壓器，也就避免了相關(guān)的能耗及成本支出。

要讓具有 90V~305V寬泛輸入電壓范圍的服務(wù)器電源系統(tǒng)理想運(yùn)行，就要求像肖特基二極管這樣的功率器件具有高至 650V 的最大阻斷電壓。Cree 最新推出的 650V 額定器件為設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心和通信設(shè)備電源系統(tǒng)時(shí)提供了理想的解決方案。Cree的新款 Z-Rec 碳化硅二極管不僅提供了這些先進(jìn)電源系統(tǒng)需要的 650V 阻斷電壓，而且與硅器件相比還能夠消除反向恢復(fù)損耗，進(jìn)一步降低能耗。

Cree 電源與射頻部副總裁兼總經(jīng)理 Cengiz Balkas 解釋說(shuō)：“碳化硅技術(shù)對(duì)開(kāi)發(fā)新一代先進(jìn)的高能效數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)樗旧舷硕O管的開(kāi)關(guān)損耗。眾所周知，開(kāi)關(guān)損耗是導(dǎo)致傳統(tǒng)硅器件低能效的主要原因，因此采用碳化硅器件取代硅器件可以將電源的功率因數(shù)校正級(jí)的效率提升 2 個(gè)百分點(diǎn)，從而與單純的架構(gòu)修改相比，能夠帶來(lái)更大的總效率提升。”

C3DXX065A 系列是 650V Z-Rec 肖特基二極管系列的首批產(chǎn)品，提供 4A、6 A、8 A 和10 A四種規(guī)格，均采用 TO-220-2 封裝。所有器件的額定工作溫度范圍為 -55°C ~ +175°C。

C3DXX065A 系列器件已經(jīng)通過(guò)全面認(rèn)證并正式交付生產(chǎn)。

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