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[導(dǎo)讀]21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新產(chǎn)品名為RJK60S5DPK,具有極高的效率,能顯著降低PC服務(wù)器、通信基站以及太陽(yáng)能

21ic訊  瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新產(chǎn)品名為RJK60S5DPK,具有極高的效率,能顯著降低PC服務(wù)器、通信基站以及太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等的功耗。

作為瑞薩電子高壓功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品,本次的RJK60S5DPK非常適用于將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC)的電源主開關(guān)電路應(yīng)用。其所采用的高精度超級(jí)連接結(jié)構(gòu),使其實(shí)現(xiàn)了高于瑞薩電子現(xiàn)有產(chǎn)品約90%的性能系數(shù)(FOM,功率MOSFET產(chǎn)品的重要性能指標(biāo))。

近年來(lái),為降低能源消耗,電源電路的高效化需求正在不斷增長(zhǎng)。尤其是平板電視、通信基站、PC服務(wù)器、以及太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等高輸出功率的電源開關(guān)系統(tǒng),更是對(duì)電力轉(zhuǎn)換效率的改善與省電性能提出了更高的要求。因此,功率MOSFET產(chǎn)品也面臨著更低的導(dǎo)通電阻性能需求。然而,功率MOSFET的傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)卻限制了產(chǎn)品的完善空間。面對(duì)上述課題,本次瑞薩電子嘗試將其長(zhǎng)期累積的功率器件技術(shù)用于功率MOSFET,利用深槽工藝,成功地開發(fā)出了高精度超級(jí)連接結(jié)構(gòu),使MOSFET器件的單位面積導(dǎo)通電阻得到了顯著的降低。

新型RJK60S5DPK功率MOSFET具有以下主要優(yōu)勢(shì):
(1)領(lǐng)先業(yè)界的低導(dǎo)通電阻
新型的RJK60S5DPK導(dǎo)通電阻僅為150mΩ(在ID=10A,VGSS=10V情況下的標(biāo)準(zhǔn)值),比瑞薩電子現(xiàn)有同類產(chǎn)品低了約52%,有效改善電源轉(zhuǎn)換時(shí)的電力損失。

(2) 高速開關(guān)
影響開關(guān)速度的首要、也是最主要的原因是功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)器電容。新RJK60S5DPK的驅(qū)動(dòng)器電容(柵電荷Qgd)比瑞薩電子現(xiàn)有產(chǎn)品降低了約80%,成功實(shí)現(xiàn)了6nC(在ID= 10,VGSS=10伏情況下的標(biāo)準(zhǔn)值)的開關(guān)速度,實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換效率的顯著提升。
此外,RJK60S5DPK功率MOSFET不但采用了與TO-3P相同外形的標(biāo)準(zhǔn)封裝,同時(shí)還采用了符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的引腳配置。這意味著它將非常易于安裝在采用傳統(tǒng)平面MOSFET器件并備受業(yè)內(nèi)好評(píng)的開關(guān)電源電路板上。

相比瑞薩電子原有的平面結(jié)構(gòu)系列產(chǎn)品,采用高精密超級(jí)連接結(jié)構(gòu)的功率MOSFET系列產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻降低了約80%。因此,在導(dǎo)通電阻相同的情況下,新產(chǎn)品可幫助芯片產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)面積的縮小。例如,原先采用TO-3P(15.6mm×19.9mm)封裝的產(chǎn)品如采用本次的新功率MOSFET,將可使其封裝縮小到TO-220FL(10mm×15mm)。這對(duì)今后瑞薩電子推廣小型封裝產(chǎn)品起到至關(guān)重要的作用。
瑞薩電子計(jì)劃面向平板電視、通信基站、PC服務(wù)器等的開關(guān)電源應(yīng)用,積極推廣本次的新產(chǎn)品,以此推動(dòng)終端產(chǎn)品的節(jié)能化發(fā)展。今后,瑞薩電子還將繼續(xù)推出超低導(dǎo)通電阻MOSFET的后續(xù)產(chǎn)品,以擴(kuò)充系列產(chǎn)品線,并積極展開相應(yīng)的業(yè)務(wù)擴(kuò)展。


定價(jià)和供貨情況
新型RJK60S5DPK功率MOSFET的樣品現(xiàn)已上市,建議零售價(jià)為每個(gè)US$5。 瑞薩電子計(jì)劃于2011年4月開始實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的量產(chǎn),并計(jì)劃到2011年10月實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)50萬(wàn)個(gè)的目標(biāo)。(定價(jià)和供貨情況如有變更,恕不另行通知。)

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