21ic訊 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設(shè)備廠商滿足消費者這些需求的努力中，意法半導體的FD-SOI芯片的量產(chǎn)和上市將起到至關(guān)重要的作用。

多媒體融合應用需要性能和能效兼?zhèn)涞陌雽w技術(shù)。隨著芯片外觀尺寸不斷縮小，傳統(tǒng)技術(shù)無法使晶體管的性能和電池壽命同時達到最高水準，無法在實現(xiàn)最優(yōu)性能的同時確保溫度不超過安全限制。解決之道是采用FD-SOI技術(shù)，該技術(shù)兼?zhèn)渥罡咝阅?、低工作功耗（在各種應用中，降低電源功率后還能保持良好的性能）和低待機功耗。

憑借其注重成本效益的平面型FD-SOI技術(shù)，意法半導體率先推出了28納米的全耗盡型器件，遙遙領(lǐng)先競爭對手。為FD-SOI貨源提供雙重保障，意法半導體與GLOBALFOUNDRIES簽訂了代工協(xié)議，以補充意法半導體位于法國Crolles工廠的產(chǎn)能。28n納米FD-SOI器件目前已商用化，預計于2012年7月前投入原型設(shè)計；而 20納米 FD-SOI器件目前處于研發(fā)階段，預計2013年第三季度投入原型設(shè)計。

意法半導體的FD-SOI技術(shù)已被ST-Ericsson用于下一代移動平臺，這項技術(shù)將使ST-Ericsson的 NovaThor™平臺具有更高的性能和更低的功耗，在發(fā)揮最高性能的時候可降低功耗達35%。

意法半導體計劃向GLOBALFOUNDRIES的其它客戶開放FD-SOI技術(shù)，讓他們能夠使用目前最先進的 28納米和20納米技術(shù)研發(fā)產(chǎn)品。

意法半導體負責數(shù)字娛樂事業(yè)部前端制造和工藝研發(fā)業(yè)務副總裁Joel Hartmann表示：“意法半導體和合作伙伴的試驗證明，F(xiàn)D-SOI的性能和功耗遠遠優(yōu)于傳統(tǒng)技術(shù)。FD-SOI是無線設(shè)備芯片和平板電腦芯片的最佳選擇，雖然這項技術(shù)仍然使用傳統(tǒng)的平面技術(shù)，但是能夠提供全耗盡型晶體管的諸多優(yōu)點，我們與 GLOBALFOUNDRIES的代工協(xié)議可為我們的客戶提供更穩(wěn)定可靠的貨源。”

意法半導體負責設(shè)計支持和服務的副總裁Philippe Magarshack進一步表示： “因為沒有MOS歷史效應影響（MOS-history-effect），從28納米塊狀硅（Bulk CMOS）技術(shù)向28納米FD-SOI移植軟件庫和物理IP內(nèi)核很簡單。使用傳統(tǒng)的CAD工具和方法研發(fā)FD-SOI數(shù)字系統(tǒng)芯片與研發(fā)傳統(tǒng)CMOS制造工藝技術(shù)完全相同。此外，通過動態(tài)優(yōu)化電路基片（俗稱襯底），F(xiàn)D-SOI還可讓同一芯片具有極高的性能或極低的功耗。最后，F(xiàn)D-SO在低電壓條件下性能出色，能效明顯高于傳統(tǒng)的CMOS技術(shù)。”

GLOBALFOUNDRIES的首席技術(shù)官Gregg Bartlett表示：“今天的代工協(xié)議證明，產(chǎn)業(yè)合作對于采用尖端技術(shù)提供解決方案至關(guān)重要。 我們與意法半導體保持長期的合作關(guān)系，合作范圍包括研發(fā)、制造，以及SOI技術(shù)。我們很高興能夠與意法半導體合作，把下一代SOI技術(shù)推入市場，引領(lǐng)移動革命繼續(xù)深入發(fā)展。”