集成解決方案將 MOSFET 和二極管置于一個(gè)封裝內(nèi)，簡(jiǎn)化了電路板裝配并節(jié)省了空間

21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。

通過將 MOSFET 和二極管集成到一個(gè)獨(dú)立封裝內(nèi)，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD設(shè)備節(jié)省了電路板空間，簡(jiǎn)化了裝配，降低了材料清單成本并改進(jìn)了應(yīng)用的可靠性。

該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體 PowerTrench®工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝專用于最小化導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。 NP二極管為超快速整流器，帶低正向?qū)▔航担哂谐錾拈_關(guān)性能。 與肖特基二極管相比，其泄漏電流更低，改進(jìn)了高溫應(yīng)用中的系統(tǒng)可靠性。

主要功能：

FDD1600N10ALZD:

· RDS(ON) = 124 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A

· RDS(ON) = 175 mΩ(典型值)@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A

· 低柵極電荷 = 2.78 nC(典型值)

· 低反向電容 (Crss) = 2.04 pF(典型值)

FDD850N10LD:

· RDS(ON) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 12 A

· RDS(ON) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A

· 低柵極電荷 = 22.2 nC(典型值)

· 低反向電容 (Crss) = 42 pF(典型值)

都有：

· 快速開關(guān)

· 100%經(jīng)過雪崩測(cè)試

· 可提高dv/dt處理能力

· 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

報(bào)價(jià):(訂購(gòu) 1,000 個(gè))

FDD1600N10ALZD的價(jià)格為0.49美元。

FDD850N10LD的價(jià)格為0.57美元

可供貨期: 按請(qǐng)求提供樣品。

交貨期: 收到訂單后 8-12 周內(nèi)