21ic訊 全集成GaN FET功率級原型機

幫助電源設計人員迅速了解GaN的極致優(yōu)勢

近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個高頻驅(qū)動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。

全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。

TI高壓電源解決方案業(yè)務部副總裁Steve Lambouses表示：“過去基于GaN的電源設計面對的一大挑戰(zhàn)是與驅(qū)動GaN FET有關的不確定性，以及由封裝方式和設計布局布線所導致的寄生效應。我們將采用先進、易于設計封裝的經(jīng)優(yōu)化集成模塊、驅(qū)動器和高頻控制器，組成的完整、可靠電源轉(zhuǎn)換生態(tài)系統(tǒng)，從而使設計人員可以充分實現(xiàn)GaN技術在電源應用方面的全部潛能。”

實現(xiàn)GaN的優(yōu)勢

通常情況下，使用GaN FET在高頻下進行開關的設計人員必須謹慎對待電路板布局布線，以避免振鈴和電磁干擾 (EMI)。TI的LMG5200雙80V功率級原型機極大地簡化了這個問題，同時又通過減少關鍵柵極驅(qū)動回路中的封裝寄生電感增加了功率級效率。 LMG5200的特色就在于運用了高級多芯片封裝技術，在優(yōu)化后還能夠支持頻率高達5MHz的電源轉(zhuǎn)換拓撲結構。

易于使用的6mmx8mm QFN 封裝無需底部填充，從而大大簡化了生產(chǎn)制造過程。封裝尺寸的減少進一步提升了GaN技術的應用價值，并且有助于擴充GaN電源設計的用途，包括從高頻無線充電應用到48V電信和工業(yè)設計的許多全新應用。如需了解與TI完整GaN解決方案相關的更多信息，敬請訪問http://www.ti.com.cn /lsds/ti_zh/power-management/gate-driver-products.page。

LMG5200的關鍵特性和優(yōu)勢：

· 最高功率密度。相對基于硅工藝的設計，首款集成80V半橋GaN功率級將功率損耗減少了25%，從而實現(xiàn)了單級轉(zhuǎn)換。

· 增加可靠性的綜合GaN專用質(zhì)量保證計劃。如需了解更多內(nèi)容，敬請單擊此處。

· 關鍵柵極驅(qū)動回路中的最低封裝寄生電感增加了功率級效率，并在減少EMI的同時提高dV/dt抗擾度。

· 簡化的布局布線和可制造性。易于使用的QFN封裝免除了對于底部填充的需要，以解決高壓間隔方面的顧慮，從而提高了電路板的可制造性并降低了成本。

工具和軟件

除了訂購已上市的LMG5200評估模塊 (EVM)，設計人員使用針對LMG5200的PSpice和TINA-TI模塊來仿真這項技術的性能和開關頻率優(yōu)勢，以便更快地開始設計工作。

其他資源：

查看TI GaN解決方案的綜合產(chǎn)品組合。

· 下載以下白皮書：

o GaN模塊性能優(yōu)勢與硅工藝的對比。

o 限定GaN產(chǎn)品可靠性的綜合方法。

o 用GaN的發(fā)展前景推進電源解決方案不斷進步。

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