瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）與Grandis，Inc.已達成協(xié)議，將共同開發(fā)采用自旋轉(zhuǎn)移寫入技術(shù)２的65 nm工藝MRAM（磁性隨機存取存儲器１）。瑞薩科技將在不久的將來開始供應(yīng)采用65 nm工藝STT-RAMTM的微型機和SoC產(chǎn)品。

瑞薩科技公司生產(chǎn)和技術(shù)部代理執(zhí)行總經(jīng)理Tadashi Nishimura表示：“我們目前正在開發(fā)采用高速和高可靠性的傳統(tǒng)磁場數(shù)據(jù)寫入技術(shù)3的MRAM技術(shù)。我們計劃在微型機和帶有片上存儲器的SoC器件等產(chǎn)品中使用這種技術(shù)。盡管如此,考慮到諸如減少寫入的不穩(wěn)定性和降低電流需求等因素，我們認為，自旋轉(zhuǎn)移是未來采用超精細工藝生產(chǎn)MRAM的適用技術(shù)。Grandis擁有世界一流的自旋轉(zhuǎn)移技術(shù)。我們確信，通過將他們的技術(shù)與瑞薩的生產(chǎn)工藝相結(jié)合，我們將能夠開發(fā)出具有高性能和極佳可靠性的通用存儲器。”

Grandis公司總裁兼首席執(zhí)行官William Almon表示：“多年來，Grandis都是一家在自旋轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商。我們率先將自旋轉(zhuǎn)移技術(shù)與MRAM中的存儲器單元結(jié)構(gòu)集成在一起，因而成為了該領(lǐng)域的先驅(qū)。通過充分發(fā)揮自旋轉(zhuǎn)移的效率，我們已將它提升到一個新的水平，使之可以與今天的LSI器件集成在一起。我們期待，此次與瑞薩科技的合作將把我們的技術(shù)應(yīng)用于LSI，給Grandis的業(yè)務(wù)擴展帶來重要的機會?！?

注釋
1.    MRAM采用磁鐵作為存儲器單元。它是一種隨機存取存儲器，其存儲的數(shù)據(jù)取決于磁鐵的磁性方向。MRAM是一種當(dāng)電源切斷后仍可保持數(shù)據(jù)的非易揮發(fā)性存儲器，同時具有高速運行和無限重寫能力。人們期待，這種由各種類型的存儲器所提供的執(zhí)行功能能力將使MRAM成為下一代存儲器的有力競爭者。大多數(shù)正在開發(fā)的MRAM都是基于傳統(tǒng)的磁場數(shù)據(jù)寫入，它可以支持快速的運行速度。然而，在未來更加精細的工藝條件下，MRAM將需要非常大的寫入電流。這引起了人們對采用65 nm或更精細工藝的MRAM的自旋轉(zhuǎn)移寫入技術(shù)的關(guān)注。

2.    自旋轉(zhuǎn)移寫入技術(shù)：一種對穿過TMR（隧道磁阻）元件的電子旋轉(zhuǎn)方向進行定位的數(shù)據(jù)寫入技術(shù)。數(shù)據(jù)寫入采用與電子保持同樣旋轉(zhuǎn)方向的旋轉(zhuǎn)極電流完成。自旋轉(zhuǎn)移隨機存取存儲器（STT-RAMTM）具有比傳統(tǒng)的MRAM更低的功耗和更好的可擴展性等優(yōu)點。自旋轉(zhuǎn)移技術(shù)具有使MRAM器件既可降低電流需求，又可減少成本的潛力。

3.    傳統(tǒng)的磁場數(shù)據(jù)寫入技術(shù)：一種使電流穿過一根鄰近TMR單元導(dǎo)線的技術(shù)。數(shù)據(jù)的寫入是由導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場來改變磁性方向而實現(xiàn)的。