Ramtron 推出4兆位非易失性FRAM存儲器
[導(dǎo)讀]Ramtron International Corporation宣布推出業(yè)界首個4兆位 (Mb) FRAM存儲器，其容量是原有最大FRAM存儲器容量的四倍。
Ramtron International Corporation宣布推出業(yè)界首個4兆位 (Mb) FRAM存儲器，其容量是原有最大FRAM存儲器容量的四倍。FM22L16是采用44腳薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、幾乎無限的讀/寫次數(shù)和低功耗等特點(diǎn)。FM22L16與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業(yè)控制系統(tǒng)如機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用、多功能打印機(jī)、自動導(dǎo)航系統(tǒng)，以及許多以SRAM為基礎(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計。
FM22L16是256K x 16非易失性存儲器，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口實現(xiàn)存取，存取的時間為55ns，周期為110ns。該器件以“無延遲” (NoDelay™) 寫入的總線速度進(jìn)行讀寫操作，耐久性至少為1e14 (100萬億)次寫入和10年的數(shù)據(jù)保存能力。
這種4Mb FRAM是標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM完全替代器件，但其性能卻優(yōu)越很多，因為它在進(jìn)行數(shù)據(jù)備份時毋需電池，并且具有單片芯片方式固有的高可靠性。FM22L16是真正的表面安裝解決方案，與SRAM不同的是它不在需要電池而且具有很高的耐潮濕、抗沖擊和振動特性。
FM22L16備有便于與現(xiàn)今高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁面模式，可以高達(dá)40MHz的速度進(jìn)行4字節(jié)Burst讀/寫操作，這比普通RAM的總線速度高出很多。該器件較標(biāo)準(zhǔn)SRAM具有更低的工作電流，讀/寫操作時為18mA，在超低電流睡眠模式下僅為5uA。FM22L16在整個工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃至+85℃)于2.7V至3.6V電壓工作。
FM22L16的工程樣件現(xiàn)已提供，并計劃在2007年第三季限量供應(yīng)，第四季開始量產(chǎn)。該器件采用符合RoHS要求的44腳TSOP-II封裝，訂購10,000件的起價為19美元。
FM22L16是256K x 16非易失性存儲器，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口實現(xiàn)存取，存取的時間為55ns，周期為110ns。該器件以“無延遲” (NoDelay™) 寫入的總線速度進(jìn)行讀寫操作，耐久性至少為1e14 (100萬億)次寫入和10年的數(shù)據(jù)保存能力。
這種4Mb FRAM是標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM完全替代器件，但其性能卻優(yōu)越很多，因為它在進(jìn)行數(shù)據(jù)備份時毋需電池，并且具有單片芯片方式固有的高可靠性。FM22L16是真正的表面安裝解決方案，與SRAM不同的是它不在需要電池而且具有很高的耐潮濕、抗沖擊和振動特性。
FM22L16備有便于與現(xiàn)今高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁面模式，可以高達(dá)40MHz的速度進(jìn)行4字節(jié)Burst讀/寫操作，這比普通RAM的總線速度高出很多。該器件較標(biāo)準(zhǔn)SRAM具有更低的工作電流，讀/寫操作時為18mA，在超低電流睡眠模式下僅為5uA。FM22L16在整個工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃至+85℃)于2.7V至3.6V電壓工作。
FM22L16的工程樣件現(xiàn)已提供，并計劃在2007年第三季限量供應(yīng)，第四季開始量產(chǎn)。該器件采用符合RoHS要求的44腳TSOP-II封裝，訂購10,000件的起價為19美元。
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