美國亞利桑那州的Everspin科技公司昨日宣布，它們已成為世界首家MRAM(磁性隨機(jī)存儲器)供應(yīng)商，為其選定的客戶推出其自有的ST-MRAM(轉(zhuǎn)矩磁阻隨機(jī)存取存儲器)芯片。這種非易失性存儲介質(zhì)據(jù)稱比當(dāng)前的SSD快500倍，但價格也是50倍。在性能方面，ST-MRAM的規(guī)格看起來令人印象深刻：16億的IOPS，"高達(dá)"3.2GB/s的帶寬，以及納秒級的延遲。

相比之下，OCZ 512GB的Vertex 4固態(tài)硬盤僅有12萬的IOPS，差不多550MB/s的吞吐量，延遲也是毫秒級而不是納秒級。

重要的是你別激動過頭了——ST-MRAM也有一些不足之處。盡管取得了作為基于NAND的固態(tài)硬盤的潛在篡位者的承諾，Everspin并不會將這個技術(shù)用于取代固態(tài)硬盤，而是作為固態(tài)硬盤的一個補(bǔ)充。

部分原因可能是其高昂的成本?！队嬎銠C(jī)世界》預(yù)計ST-MART將比當(dāng)前的FLASH供應(yīng)價高出約50倍，不過新技術(shù)剛開始的時候都是這樣的。還記得SSD售價幾千美金的時候嗎?想當(dāng)年要42000美金的14GB SSD，我們現(xiàn)在買一個128GB型號的固態(tài)硬盤都只需60-70美元。也許我們可以預(yù)期MRAM在接下去的10年里也會這樣，時間會告訴我們。

另一個原因，因?yàn)镾T-MRAM對高功率的要求，它可能并不是一個理想的SSD替代者。據(jù)Everspin稱，常規(guī)SSD使用的64GB NAND芯片在使用時僅需80毫瓦的功率。與此相比，1GB的ST-MRAM芯片就需要400毫瓦的使用功率，很明顯ST-MRAM在成為主流閃存存儲產(chǎn)品的替代者之前還有一些路要走。