德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。

CSD18541F5金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)保持典型的54-mΩ導(dǎo)通電阻(Rdson)，其設(shè)計與優(yōu)化的目的是取代空間受限的工業(yè)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中的標(biāo)準(zhǔn)小信號MOSFET。這種微型連接盤網(wǎng)格陣列(LGA)封裝的焊盤間距為0.5-mm，易于安裝。

CSD18541F5是TI FemtoFET MOSFETs中NexFET™技術(shù)方案組合的新成員，擁有高電壓及生產(chǎn)友好型占位面積。請下載設(shè)計綜述，了解有關(guān)LGA封裝的詳細(xì)信息。

CSD18541F5主要特點和優(yōu)勢

· 10-V柵源 (VGS)的超低54-mΩ Rdson比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)減小90%，使功耗得以降低。

· 超小型1.53-mm x 0.77-mm x 0.35-mm LGA封裝比SOT-23封裝中的傳統(tǒng)負(fù)載開關(guān)尺寸減小80%，使印刷電路板 (PCB) 的空間得以降低。

· 生產(chǎn)友好型0.5-mm焊盤間距。

· 集成靜電放電(ESD)保護(hù)二極管可防止MOSFET柵過壓。

封裝和供貨

CSD18541F5內(nèi)置于3針LGA封裝，目前可由TI及其授權(quán)分銷商批量供貨(單位數(shù)量1,000)。請下載PSpice瞬態(tài)模型。