該技術(shù)應(yīng)用在ZETA® G3噴霧清洗平臺(tái)上


（2006年3月20日）-- FSI國(guó)際有限公司（Nasdaq: FSII）面向全球發(fā)布全新的ViPR™技術(shù)。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)省去了絕大多數(shù)已注入光刻膠去除所需的灰化工藝步驟，包括1x1017  離子/ 厘米2  等離子摻雜(PLAD)光刻膠。這項(xiàng)ViPR技術(shù)適用于FSI全新的ZETA® G3噴霧清洗平臺(tái)。

通過省去了大約80%的前段（FEOL）灰化步驟，F(xiàn)SI為集成電路制造商提供了一套減少表面損害、材料損失、制造周期時(shí)間和資金投入的全面解決方案。隨著已注入光刻膠的應(yīng)用不斷上升，而與此同時(shí)可允許的材料損失和表面損壞水平程度不斷下降，IC制造過程中的光刻膠去除已經(jīng)成為整個(gè)產(chǎn)業(yè)界的挑戰(zhàn)。FSI認(rèn)為ViPR技術(shù)在65和45nm制造工藝中會(huì)成為必需的技術(shù)，而且在目前的90nm制造工藝中會(huì)有所采納應(yīng)用。

ViPR工藝?yán)昧薋SI特有的化學(xué)試劑混合、傳送和溫度控制技術(shù)，能夠去除高度注入光刻膠。正是FSI的 ZETA噴霧處理系統(tǒng)獨(dú)特的設(shè)計(jì)性能，使這個(gè)新工藝得以實(shí)現(xiàn)。濕法去除高度注入的光刻膠在浸泡或單晶圓清洗平臺(tái)上僅僅取得有限的成功。

“
“我們的ViPR技術(shù)擴(kuò)展了我們?cè)诨一笄逑搭I(lǐng)域的能力，并擴(kuò)大了我們服務(wù)的光刻膠去除市場(chǎng)?！盕SI董事會(huì)主席兼首席執(zhí)行官 Don Mitchell說，“我們和一些關(guān)鍵客戶聯(lián)合開發(fā)了這項(xiàng)技術(shù)，并且很高興能為IC制造商提供通過減少材料損失和表面損壞、縮短加工周期和降低成本而增強(qiáng)其競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的工藝方案。首批帶ViPR技術(shù)的ZETA G3系統(tǒng)在3月已經(jīng)發(fā)貨，將進(jìn)行工藝優(yōu)化、整和和認(rèn)證。”

ZETA G3平臺(tái)建立在上一代的ZETA系統(tǒng)能力之上， 提供了IC制造商更好的性能和更高的產(chǎn)能。ZETA G3是ViPR技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)的唯一硬件平臺(tái)，而且在許多應(yīng)用中，它裝備的加強(qiáng)型機(jī)器人能夠增加20%的產(chǎn)量。ZETA G3平臺(tái)專為300毫米批量噴霧前段（FEOL）和后段（BEOL）清洗工藝而設(shè)計(jì)，并經(jīng)過了90nm、65nm和45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的驗(yàn)證。

ZETA系統(tǒng)采用了帶超靈活化學(xué)試劑傳送技術(shù)的離心噴霧方案，可以按照所需的成分和溫度來(lái)制備直接分發(fā)在晶圓之上的化學(xué)品。ZETA系統(tǒng)被證實(shí)具有廣泛的應(yīng)用范圍，包括自對(duì)準(zhǔn)金屬氧化物結(jié)構(gòu)中鈷和鎳刻蝕、光刻膠去除和灰化后清洗、無(wú)超聲微粒去除和晶圓回收。另外，為了幫助IC制造商在65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)氧化物結(jié)構(gòu)，F(xiàn)SI為鎳鉑薄膜開發(fā)了PlatNiStrip™工藝。